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首页>> news>> 2025年10月组内文献阅读汇报



文献标题: Determination of the Zak phase of one-dimensional diffractive systems with inversion symmetry via radiation in Fourier space 利用傅里叶空间辐射确定具有反演对称性的一维衍射系统的Zak相


在拓扑物理领域,Zak相位作为布洛赫波在动量空间中环绕布里渊区一周时获得的几何相位,对于具有反演对称性的系统,被量子化为0或π。这一特性在确定能带拓扑性质中起着关键作用。拓扑保护态因其对局部扰动的鲁棒性,在量子信息处理中具有潜在应用价值。当两个拓扑性质不同的系统接触时,会在界面处形成拓扑保护的边界态,如Jackiw-Rebbi态。研究内容包括本文提出了一种基于时间耦合模理论的模型,用于描述一维光子系统在布里渊区点和边界X点处的辐射特性。通过分析辐射模式的对称性,可以推断出Zak相位。为了验证这一理论模型,我们使用有限差分时域方法对一维金等离激元光子晶体和二氧化硅/金光子晶体进行模拟,这些晶体分别支持TM极化和TE极化的导波模式。实验部分通过傅里叶空间光学光谱学和共路干涉测量技术,对拓扑性质进行实验验证。实验结果与理论预测一致,证明了通过测量远场辐射可以确定Zak相位。创新点一是提出了一种通过测量远场辐射来确定Zak相位的新方法。这种方法简单且适用于具有反演对称性的一维系统。创新点二是通过将两个拓扑性质不同的等离子体晶体连接在一起,成功展示了在界面处形成的拓扑保护态。文章结论为通过理论模型、数值模拟和实验验证,提出了一种通过测量远场辐射来确定Zak相位的新方法。实验结果与FDTD模拟结果高度一致,证明了方法的有效性和实用性。启发为重点详细的证明了不同系统参数的Zak相位,以及如何实验测到。但所得结论与已有认知既有相符也有矛盾之处。

文献来源: PHYSICAL REVIEW B 108, 035403 (2023) 作者:C. Liu,* H. R. Wang,* and H. C. Ong †



报告人:付子怡

文献标题: Configurable circular-polarization-dependent optoelectronic silent state for ultrahigh light ellipticity discrimination 《基于可调的圆偏振依赖光电“静默态”用于超高椭圆率光的判别》


光的圆偏振或更一般地来说,光的椭圆偏振是光波的重要自由度,在集成化圆偏振检测器中,一个关键性能指标是圆偏振消光比,目前许多集成设备的消光比值并不高,如何显著提升光椭圆偏振的区分能力,提高消光比、降低响应噪声、增强灵敏度成为一个挑战。本研究作者设计并实现了光电静默态增强的片上红外圆偏振探测器,其可以被认为是两个普通集成式红外圆偏振探测器的组合。这两个普通集成式红外圆偏振探测器具有手性相反的圆偏振依赖性和相反的光响应极性(如图1)。研究内容1:在Au-Al2O3衬底结构表面制备了源、漏电极区域,且两区域之间保持一定的沟道宽度,沟道材料是MoS2。源、漏电极与MoS2接触产生的两个方向相反的肖特基结提供了自驱动且方向相反的光响应,在源、漏电极区域分别集成了对左旋光和对右旋光共振增强的Z形等离激元手性结构。创新点:两个普通集成式红外圆偏振探测器具有手性相反的圆偏振依赖性和相反的光响应极性。这样两个光响应的叠加诱导出了在某一个特定偏振状态下光电流为零且噪声被显著抑制的光电静默态。文章结论:Z形结构不仅提升了肖特基结的光响应率,而且由于其对圆偏振光的选择性吸收,使得探测器的源、漏两电极区域的自驱动光响应出现了圆偏振相关的依赖性:源极对于左旋光的响应强于右旋光,而漏极对右旋光的响应强于左旋光。启发:该研究在基于光电静默态增强的片上红外圆偏振探测器中实现了超高消光比以及超高灵敏的光椭圆率变化。



文献来源:Light: Science & Applications 作者:Yonghao Bu, Xiansong Ren, Jing Zhou, Zhenhan Zhang, Jie Deng, Hangyu Xu, Runzhang Xie, Tianxin Li, Weida Hu, Xia Guo, Wei Lu & Xiaoshuang Chen 发表日期: 2025



报告人:胡楠楠

文献标题:Unlocking Incoherent Fluorescence Holography via On‐Chip Meta‐Optics


背景:荧光是一种广泛存在的非相干发光源,但其随机相位和低相干性使得难以实现光场的精确相位调控与编码,限制了复杂光场如全息重构的实现。将超表面与发光材料耦合的片上集成结构为解决非相干光场调控提供了新思路。研究内容:本文提出一种基于片上光波导+量子点(QDs)发光+超表面调控的非相干荧光全息方法。通过将荧光耦合进波导模式传播,显著提高了其空间-时间相干性(提升约两数量级),并在波导上方集成Si纳米天线阵列形成“on-chip metasurface”。作者利用改进的梯度下降算法(GDA)优化荧光导模的Fresnel衍射分布,实现了非相干荧光的相位编码和全息图生成。同时利用激发光(532 nm)与荧光(622 nm)在频率与折射率上的差异,在同一芯片上实现了泵浦光远场全息与荧光近场Fresnel全息的双通道显示。实验实现了六通道复用显示(双荧光纳米打印、双荧光Fresnel全息、双泵浦光远场全息)。创新点:首次实现非相干荧光光场的全息成像,打破了传统荧光无法相位调制的限制;通过波导模式传播显著提升荧光相干性,为非相干光相位编码提供可行方案;同时实现了“泵浦光 + 荧光”双维度光场复用与调控;利用meta-atom的周期与位移调控实现相位变化。文章结论:该研究实现了首例基于片上超表面的非相干荧光全息显示,展示了光场调控的多维自由度。通过量子点发光、波导耦合与波导相位调控相结合,实现了荧光的Fresnel全息与泵浦光远场全息共存。启发:将非相干光耦合至波导模式可视为“相干增强器”;波矢匹配后出射,改变波导中光的位移,从而累加的波导相位变化在0到2pi;初步了解了片上这一概念。



文献来源:Laser & Photonics Reviews 2025 DOI:10.1002/lpor.202501536 作者:Shuai Wan, Yangyang Shi, Zhe Li, Chenjie Dai, Zejing Wang, Xinbin Cheng, Shuang Zhang, Zhongyang Li 发表日期:2025.10.7



报告人:刘高敬

文献标题: Compact angle-resolved metasurface spectrometer 紧凑型角分辨超构表面光谱仪


传统角分辨光谱技术通常需要庞大的光学设备,限制了其在实验室之外的应用。尽管已有研究将光谱仪尺寸缩小到亚毫米甚至微米级别,但光谱分辨率与设备尺寸之间的矛盾仍未解决,且缺乏可扩展的阵列化方案。研究内容包括提出了一种结合可调谐超构表面光谱仪阵列和超构透镜的紧凑型角分辨光谱成像系统。单个光谱仪的像素尺寸仅为4×4μm²,具备0.17 nm的波长精度、0.4 nm的光谱分辨率和149 dB的线性动态范围。系统具备1.2 fJ的检测极限,并可扩展为阵列用于光谱成像。通过将光谱仪阵列直接放置在超构透镜的后焦平面,实现了4.88×10-3rad的角分辨率。创新点是首次实现超小尺寸(4×4μm²)且具备高光谱分辨率的角分辨光谱仪。实现了光谱仪阵列与超构透镜的集成,极大压缩了传统角分辨光谱系统的体积。文章结论是在成功展示了基于超构表面的紧凑型角分辨光谱仪,具备高光谱分辨率、高角分辨率、低功耗和小体积等优势。系统可与CMOS工艺兼容,具备良好的扩展性和实用性,适用于便携式设备、即时检测和可穿戴光电子等新兴应用。启发在于通过材料、结构与算法的协同设计,可促进微型计算成像设备的研究。



文献来源: Nat. Mater. 23, 71–78 (2024). 作者:Guiyi Cai, Yanhao Li, Yao Zhang, Xiong Jiang, Yimu Chen, Geyang Qu, Xudong Zhang, Shumin Xiao, Jiecai Han, Shaohua Yu, Yuri Kivshar, Qinghai Song



报告人:高恩博

文献标题:High-Performance Ultraviolet Photodetector Based on the Vertical GaSe/GaN Heterojunction (基于垂直GaSe/GaN异质结的高性能紫外探测器)


紫外光电探测器在环境监测、安全预警、生物医学和光通信等领域具有重要应用。GaN作为宽禁带半导体,因其优异的紫外吸收能力、高热导率和化学稳定性,成为理想的紫外探测材料。然而,传统平面结构的GaN探测器在响应速度方面存在限制。内容包括:设计并制备了一种垂直结构的GaSe/GaN异质结紫外光电探测器。通过电化学蚀刻获得自支撑GaN薄膜,并与二维GaSe片层堆叠形成垂直异质结。器件采用非对称Au/石墨烯电极,利用Type-II能带对齐和内建电场,显著提升了光电性能。创新点:采用电化学蚀刻获得高质量自支撑GaN薄膜,减少表面损伤。分析了噪声来源,并比较了不同探测率计算方法的差异。文章结论为成功制备了垂直结构的GaSe/GaN异质结紫外光电探测器。通过将自支撑GaN薄膜与二维GaSe垂直堆叠,形成Type-II能带结构,在362 nm紫外光下表现出卓越性能:响应度达1.38×105A/W,探测率达1.40×1016Jones,响应时间为18/21.8μs。启发在于电极设计方式以及测试思路。



文献来源:Small 2025, 21, 2407473 作者:Yujing Wang, Jiawei Chen, Tiangui Hu, Yuqing Huang, Wenkai Zhu, Weihao Li, Yin Hu, Zhongming Wei, Zhongchao Fan, Lixia Zhao, Kaiyou Wang



报告人:颜培烨


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