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首页>> news>> 2025年5月组内文献阅读汇报



文献标题:Deep learning enabled topological design of exceptional points for multi-optical-parameter control


超表面是一种二维人工纳米结构,能够实现多种光学现象和灵活的光操控能力。在实际应用中,如全息成像、亚衍射成像和矢量场等,多光学参数超表面具有显著优势。目前的研究通常集中在调制一两个光学参数,而实现多个光学参数的独立和同时控制面临设计策略缺失、操控通道有限和信噪比问题等挑战。EPs是两个或更多本征值及其对应本征矢量同时合并的点,具有拓扑鲁棒性和迷人的黎曼面参数空间,为多光学参数电磁场调制和开发紧凑集成器件提供了新的研究前景。 文章提出了一种深度学习方法,用于快速发现散射EPs,并充分利用围绕它们分布的散射光学参数。这种方法能够高效地总结散射EPs的拓扑特性,并通过调整EP条件轻松扩展到其他非厄米特系统。构建了一个双向神经网络,包括一个前向预测神经网络(PNN)和一个逆向神经网络(INN)。PNN用于将结构参数映射到散射矩阵的点,而INN用于从期望的光学特性反向检索结构参数。通过模拟生成了3500个数据库,每个数据库包含结构参数和对应的散射矩阵。这些数据被用来训练和测试神经网络,其中70%用于训练,30%用于测试。 通过PNN,研究者能够快速准确地预测EPs的位置,并观察到围绕EPs的拓扑电荷守恒现象。EPs的出现伴随着2π相位积累和奇异值幅度变化,这种现象被称为异常拓扑相(ET相)。利用EPs的ET相随波长变化的特性,设计了一个WDM超表面,能够在532 nm和633 nm两个不同波长下分别显示不同的全息图像。结合ET相和Pancharatnam-Berry(PB)相,设计了一个能够在S21通道实现灰度成像和全息成像的超表面,同时在S12通道保持不变,从而实现了两个交叉圆偏振通道的独立控制。 通过电子束光刻技术制造了多通道手性超表面,并进行了光学测量。实验结果表明,WDM超表面在532 nm和633 nm波长下分别成功重建了不同的全息图像,而幅度-相位复用超表面在633 nm波长下实现了灰度成像和全息成像,且两个通道之间没有串扰。深度学习方法能够快速准确地发现EPs的拓扑结构,为相关物理现象的研究提供了有力工具。



文献来源:Fu, P., Du, S., Lan, W. et al. Deep learning enabled topological design of exceptional points for multi-optical-parameter control. Commun Phys 6, 254 (2023). 作者:Peng Fu, Shuo Du, Wenze Lan, Leyong Hu, Yiqing Wu, Zhenfei Li, Xin Huang, Yang Guo, Weiren Zhu, Junjie Li, Baoli Liu & Changzhi Gu



报告人:王艺


文献标题: Global phase diagram of bound states in the continuum 光子晶体板中束缚态在连续体中的全局相图


连续域束缚态(BICs)是理论上一种具有无限寿命的特殊共振态,它们与自由空间中的扩展态共存,但彼此之间不耦合。BICs在量子、光子、声学和等离子体系统中广泛存在,根据其形成机制,BICs的研究主要集中在三种类型:单共振参数型、对称性保护型和Friedrich-Wintgen型。研究内容基于Friedrich-Wintgen机制的BICs在光子晶体板中的全局相图。研究者发现,单共振参数型BICs实际上是由导模共振(GR)和法布里-珀罗(FP)模式耦合产生的,而对称性保护型BICs则源于简并GR模式的耦合。通过实验观察BICs的临界点和相变,包括在非高对称点处的BICs合并过程,验证了理论分析的正确性。创新点一是提出了基于Friedrich-Wintgen机制的BICs的全局相图,为理解和设计BICs提供了新的框架。创新点二是实验观察了BICs在参数空间中的演化轨迹,包括在非高对称点处的BICs合并和湮灭过程,为BICs的动态行为提供了直接证据。文章结论为本研究通过理论分析和实验验证,展示了光子晶体板中BICs的全局相图,揭示了BICs在参数空间中的演化规律。启发在于不仅加深了对BICs物理本质的理解,还为实验设计和实际应用提供了指导

文献来源: Optica 9, 1353-1361 (2022) 作者:Peng Hu,Jiajun Wang,Qiao Jiang,Jun Wang,Lei Shi,Dezhuan Han,Z. Q. Zhang,C. T. Chan,Jian Zi



报告人:付子怡

文献标题: 《损耗调控的太赫兹超表面手性反转》


非厄米系统中的EP是由于系统具有耦合增益和损耗而产生的特殊点,在该点处,系统的本征值和本征态塌缩,展现出许多新奇的物理现象。文章提出并设计了隐含两条手性相反EL的非厄密超表面结构,利用光泵浦非晶锗电导率上升带来的模式耗散损耗,实现EP手性的切换,不需要任何额外的增益材料或结构变化。内容1:通过将三模耦合哈密顿量(3×3)降阶处理为描述两种正交偏振态的二阶传输矩阵(2×2),发现耗散损耗空间中存在两条手性相反的非厄密EL。为验证该发现,该工作利用超表面平台设计了一种不对称的金属线和开口谐振环结构(图1),将损耗可调材料镶嵌在两不同的开口谐振环。由于光激发同时调控两个模式的损耗,存在一条调制曲线穿过两条手性相反的非厄密EL,在演化过程中实现EP的手性反转。内容2:在实验上测试了光控超表面非厄密EP的手性主动切换,验证了理论提出的EP手性开关功能。同时,在瞬态光驱动的微扰中,可以选择性地实现超快手性反转。创新点:为了实现手性EP的主动反转,研究团队设计了一种特殊的超表面结构,该结构由金属线和两个不对称的开口谐振环。通过改变泵浦光的功率来调控Ge的电导率,从而改变超表面系统的耗散损耗。当泵浦功率较低时,系统的本征态塌缩为左旋圆偏振态;而当泵浦功率增加到一定程度时,系统的本征态则转变为右旋圆偏振态。通过测量不同泵浦功率下的太赫兹透射谱,观察到了两个EPs的出现,分别对应于左旋和右旋圆偏振态。启发:通过调控光诱导损耗,成功实现了手性EP的主动切换。



文献来源:Physical Review Letters,2024 https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.134.106901 作者:Weibao Hee, Shun Wan, Yunlan Zuoo,Siyang Hu, Ziheng Ren, Zhongyi Yu, Dongsheng Yang,and Tian Jiango,Xiang'ai Cheng, Keyu Xiao,Yuze Hu, Hui Jing. 发表日期: 2025



报告人:胡楠楠

文献标题: Ultrathin Twisted Bilayer Photonic Crystal with Tunable MicronLevel Near-Field Coupling for Multimode Polarization Manipulation


摩尔超表面为偏振敏感应用带来了巨大前景。然而,实现多模可调谐性仍然具有挑战性,需要进一步努力。本文介绍了一种现场可调谐扭曲双层光子晶体(TBPhC),它由两层叠成莫伊里手性图案的超薄氮化硅光子晶体薄膜组成,每层厚度仅为 50 纳米。这些超薄光子晶体支持导模共振,并通过层间耦合形成光谐振器,同时产生扭曲可调的摩尔纹手性共振。值得注意的是,与数百纳米级的光子晶体相比,这种深亚波长光子晶体的厚度增强了近场耦合,能够以微米级的间距调谐多个谐振模式,从而实现更灵活的操作。实验结果表明,这种超薄谐振结构可通过调整层间距离和扭转角度来主动控制谐振的气光响应,从而在电信区域调制光的偏振态,为先进光学设备的动态偏振控制开辟了新的可能性。内容一:用于偏振控制的近场多谐振超薄 TBPhC。(a) 拟议装置的示意图,该装置由两层超薄氮化硅薄膜组成。它能够调整入射波的偏振态。(b) 用于产生具有摩尔纹的左旋和右旋 TBPhC 的反向旋转手性叠层。(c) 通过调节扭转角 θ 和层间距离 D 来调制层间耦合的示意图。这种可调性产生了丰富的手性共振模式,从而实现了偏振控制。内容二:可调谐多模手性共振。(a) D = 1.8 μm、H = 300 nm 时,CD 与频率和扭转角的函数关系。(b) θ = 29°、H = 300 nm 时,CD 与频率和层间距离的函数关系。(c) D = 1.8 μm,H = 50 nm 时,CD 与频率和扭转角的函数关系。(d) θ = 29°, H = 50 nm 时,CD 与频率和层间距离的函数关系。(e) 共振手性源于共振时圆极化光的差分激发。随着层间耦合的变化,会出现手性共振模式分裂。创新点与文章结论:我们从理论和实验上研究了通过可调谐 TBPhC 进行主动偏振控制的方法。由于扭曲角度的存在,TBPhC 的镜面对称性被打破,从而产生了摩尔手性。谐振腔配置可选择性地增强这种手性。值得注意的是,我们制造的超薄 TBPhC 甚至在微米级层间距时也能显示层间耦合,从而产生丰富的手性谐振模式。因此,该器件的可调谐性得到了增强。在扭转角和层间距的共同调制下,椭圆度角可从-1.1°调至+4°,取向角可从-2.8°调至+1.3°。因此,这种利用摩尔旋光效应进行多模偏振控制的现场机制为先进的动态偏振转换系统提供了新的可能性,并有望在成像、光通信、手性生物分子检测等众多领域得到应用。启发学习 复摩尔超表面是一种很新的方向,比二维结构多了些自由度,可以应用到手性和非线性产生。



文文献来源: Nano Lett.https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c01724. 作者:Yule Wang, Jipeng Xu, Ning Liu, Xinye Liao, Zhihong Zhu, Wei Xu,and Ken Liu 发表日期: 2025.3.18



报告人:刘高敬

文献标题: Broadband terahertz wave generation from an epsilon-near-zero material


文章背景太赫兹(THz)技术在非破坏性材料评估、成像、传感和无线通信等领域有着广泛的应用前景。传统的太赫兹脉冲产生方法依赖于在毫米厚的非线性晶体中进行光学整流,其带宽受限于相位匹配条件。近年来,研究者们对开发超薄太赫兹发射器产生了浓厚兴趣,以克服传统方法的局限性。文章提出了本文提出了一种利用商业化的19纳米厚的氧化铟锡(ITO)薄膜通过表面光学整流产生宽带太赫兹辐射的新方法。研究发现,当泵浦激光调谐到ITO的epsilon-near-zero(ENZ)区域附近时,由于ENZ效应相关的泵浦激光场增强,产生的太赫兹信号得到增强。这种ITO薄膜产生的太赫兹信号带宽可达3太赫兹以上,且不受相位匹配条件的限制。创新点一利用ENZ效应增强太赫兹信号:文章展示了通过利用ITO薄膜的ENZ效应,可以显著增强泵浦激光场,从而提高太赫兹信号的强度。这种增强效应部分归因于在ENZ材料与背景介质边界处的电场连续性,以及在ENZ薄膜中支持的Ferrell-Berreman模式或ENZ模式中的慢光效应。创新点二超薄薄膜中的宽带太赫兹产生:与传统的非线性晶体相比,ITO薄膜的厚度仅为19纳米,远小于太赫兹波长,因此不受相位匹配条件的限制,能够产生超过3太赫兹的宽带太赫兹信号。这种超薄薄膜的宽带太赫兹产生为开发新型太赫兹源提供了新的可能性。文章总结文章通过实验验证了ITO薄膜在传输和反射配置中都能产生宽带太赫兹辐射,并且详细研究了泵浦波长、泵浦能量、极化状态和样品取向对太赫兹产生效率的影响。研究结果表明,ITO薄膜的太赫兹产生效率虽然目前低于传统的基于块状非线性晶体的脉冲太赫兹源,但其具有更高的损伤阈值,并且对样品取向不敏感,这为未来太赫兹技术的发展提供了新的方向。启发在于材料选择与应用拓展:ITO作为一种广泛使用的透明导电氧化物,其在太赫兹波段的非线性光学特性被成功利用,为其他具有ENZ特性的材料在太赫兹技术中的应用提供了思路,如CdO等高电子迁移率材料,有望进一步提高太赫兹产生效率。超薄结构的优势:超薄ITO薄膜的使用不仅突破了传统太赫兹产生方法的相位匹配限制,还展示了在太赫兹波段实现宽带、高效辐射的潜力。这启发研究者探索更多超薄结构或纳米材料在太赫兹技术中的应用,以开发出更紧凑、高效的太赫兹源。动态特性研究:文章中对ITO薄膜在不同泵浦能量下的动态特性进行了研究,揭示了其时间依赖的ENZ特性和独特的热电子动力学。这为深入理解材料在极端条件下的物理行为提供了方法论,也为设计具有特定动态响应的太赫兹器件提供了理论基础。



文献来源:Light: Science & Applications,2021,10(1):11.DOI: 10.1038/s41377-020-00452-y 作者:Wenhe Jia1 , Meng Liu2 , Yongchang Lu2 , Xi Feng2 , Qingwei Wang2 , Xueqian Zhang2 , Yibo Ni1 , Futai Hu1 , Mali Gong1 Xinlong Xu3 , Yuanyuan Huang3 , Weili Zhang 4 , Yuanmu Yang1 and Jiaguang Han 2 发表日期: 2021



报告人:高恩博

文献标题: Enhanced Photodetection and a Wider Spectral Range in the In2 S3 –ZnO 2D–3D Heterojunction: Combined Optical Absorption and Enhanced Carrier Separation at the Type-II Heterojunction. In2S3 -ZnO 2D-3D异质结中增强的光探测和更宽的光谱范围:ii型异质结的组合光吸收和增强的载流子分离


传统ZnO基光电探测器受限于宽禁带(3.2 eV),仅对紫外光敏感;而In₂S₃纳米片(禁带2.2 eV)在可见光区表现优异,但紫外响应弱。构建2D In₂S₃与3D ZnO的异质结,通过能带工程(Type-II型对齐)实现紫外-可见宽带响应,并增强载流子分离效率。研究内容ZnO薄膜通过射频溅射制备,In₂S₃纳米片通过化学气相沉积(CVD)生长在ZnO上。响应度:440 mA/W(450 nm),探测率:10×10¹⁰ Jones(450 nm),外量子效率:330%,上升/衰减时间分别为4.5 ms和3.8 ms,远超单独材料。启发在于参照文章学习器件测试。



文献来源: J. Mater. Chem. C, 10 (38), 14220–14231. 作者:Kaur, N.; Ghosh, A.; Bisht, P.; Kumar, A.; Kaushik, V.; Kodan, N.; Singh, R.; Mehta, B. R. 发表日期: 2022



报告人:颜培烨


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