材料的维数与其物理性质密切相关。对于二维（2D）半导体，如单层二硫化钼将其从二维纳米片转化为一维（1D）纳米卷可能有助于具有显著的电子和光电性能，但卷起过程仍然缺乏足够的可控性，这限制了其器件应用的发展。在此，我们报道了一种改进的溶剂蒸发诱导轧制过程，它在中间状态停止，实现了高产率和良好的轴向均匀性的二硫化钼纳米辊。由此制备的纳米卷轴存储器具有∼104的开/关比和超过103 s的保留时间，可以实现脉冲门电压的多级存储。这种开放式、高曲率和中空的一维纳米结构为操纵滞回窗口提供了新的可能性，从而实现了纳米级场效应晶体管的电荷存储特性，从而为发展小型化集成存储器提供了巨大的希望。
S Qiao et al. , Nano Lett. 2024, 24, 4498−4504.
报告人：张天天
