近年来，二维材料因其高载流子迁移率和原子厚度而受到广泛关注。其中，钨二硒化物（WSe2）作为一种具有优异空气稳定性的p型材料，被广泛应用于光电子器件中。然而，大多数基于二维-二维异质结构的光电探测器在可见光和近红外波段的光谱范围内有限，且超薄通道的低光吸收限制了其响应度。因此，研究人员提出了混合维度异质结构，如0维-2维和2维-3维混合结构，以提高光电探测器的性能并扩展光谱范围。华南师范大学大学的霍能杰教授领导的研究小组设计并制作了一种由二维p型WSe2和三维n型GaN构成的异质结构，用于制造高性能的可见光/紫外线双波段光电探测器。该光电晶体管还能作为多级光神经突触器件，具备光感测和突触功能。这项研究有望推动二维材料基光电晶体管和突触器件在下一代光电子学领域的发展。文章以“A dual-band photodetector based on a mixed-dimensional WSe2/GaN junction” 为题发表在Journal of Materials Chemistry C上。
Chen, S., Wang, H., Yang, Y., Liu, S., Zhu, L., Wang, X., & Huo, N. (2024). A dual-band photodetector based on a mixed-dimensional WSe2/GaN junction. Journal of Materials Chemistry C, 12(15), 5608-5614.
报告人：贾仕豪
