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首页>> news>> 2024年04月组内文献阅读汇报



Single photon emitter deterministically coupled to a topological corner state


将拓扑物理学纳入量子光子学领域有望开发出具有固有拓扑鲁棒性和抗后向散射的量子光发射器。尽管如此,量子发射体与拓扑非平凡共振的确定性相互作用在很大程度上仍未被探索。该工作提出了一个单光子发射器,利用单个半导体量子点,确定性耦合到光子晶体腔中的二阶拓扑角态。通过研究该拓扑腔内单光子计数和发射率的Purcell增强,该工作实现了实验Purcell因子Fp = 3.7。此外,还验证了角态腔的高效偶极子偏振调制能力,其二阶自相关函数g(2)(0)低至0.024±0.103,表明发射光子具有反聚束特性。该方法促进了拓扑非平凡环境中光-物质相互作用的定制,从而扩大了它们在量子水平上操纵光-物质相互作用的高级应用的潜力。

文献出处:Rao, M., Shi, F., Rao, Z. et al. Single photon emitter deterministically coupled to a topological corner state. Light Sci Appl 13, 19 (2024). https://doi.org/10.1038/s41377-024-01377-6 -x



报告人:罗猜


Magic-angle lasers in nanostructured moiré superlattice


传统的激光腔需要材料性质的不连续或无序来局域光场以进行反馈。最近,一种新兴的扭曲范德瓦尔斯材料已经被探索用于电子和光子学的应用。该工作提出并开发了魔角激光器,在周期性扭曲光子石墨烯超晶格中实现了局域化。该工作揭示了魔角激光器的约束机制并不依赖于一个完整的带隙,而是依赖于两个光子石墨烯晶格层之间的模式耦合。在没有任何结构参数微调的情况下,一个简单的扭转就可以产生具有强场约束和高质量因子的纳米空腔。此外,魔角激光器的发射允许直接成像魔角状态的波函数。该工作为构建纳米激光器、纳米发光二极管、非线性光学和纳米腔量子电动力学的高质量纳米腔提供了一个强大的平台。

文献出处:Mao, XR., Shao, ZK., Luan, HY. et al. Magic-angle lasers in nanostructured moiré superlattice. Nat. Nanotechnol. 16, 1099–1105 (2021). https://doi.org/10.1038/s41565-021-00956-7



报告人:罗猜


Localisation-to-delocalisation transition of moiré excitons in WSe2/MoSe2 heterostructures


莫尔激子(MXs)是由二维异质结构(HSs)中形成的周期性(莫尔)势定位的电子-空穴对。MXs可以用来创建纳米级有序的量子发射体,并在相对较高的温度下实现或探测强相关的电子相。在此,我们利用时间分辨和连续波微光致发光技术研究了从T = 6 K到室温下WSe2/MoSe2 HSs的激子特性。激子动力学和发射线形随温度的变化显示出明显的特征,在100 K以上时,MXs从莫尔势离域并变成自由层间激子(IXs)。当莫尔势不能在高温下定位激子时,激子磁矩反转其符号时,MX到IX的转变也很明显。同时,激子的形成和衰变时间急剧减少。因此,我们的发现建立了随着温度和光产生的载流子密度的增加,莫尔超晶格中激子态的真正限制性质的条件。

VElena Blundo ey al. Nature Communications, 2024, 15, 1057.



报告人:张天天


Two-Dimensional Chiral Metasurfaces Obtained by Geometrically Simple Meta-atom Rotations


大多数平面手性超表面设计经常使用复杂的元原子形状来创建三维螺旋,尽管视觉外观并没有改善它们的螺旋响应,但由于由此产生的大参数空间,使其优化和制造变得复杂。在这里,作者提出了一个几何上最简单的二维手性超表面平台,由以长方形晶格排列的非手性介电棒组成。手性是通过旋转单个元原子而产生的,使它们的排列具有手性,并导致更强或类似于更复杂设计的螺旋反应。作者表明,共振依赖于排列是稳健的几何变化,并在实验和模拟中表现相似。最后,通过简单的几何不对称性和间隙大小的考虑来解释我们的平台的手性和行为的起源。

Dmytro Gryb et al., Nano Lett. 2023, 23, 8891−8897.



报告人:张天天


Asymmetric Ferroelectric-Gated TwoDimensional Transistor Integrating SelfRectifying Photoelectric Memory and Artificial Synapse


河南师范大学物理学院Yurong Jiang、Linlin Zhang、Rui Wang研究团队在ACS Nano上发表了题为“Asymmetric Ferroelectric-Gated Two Dimensional Transistor Integrating Self Rectifying Photoelectric Memory and Artificial Synapse”的研究。作者设计了一种可重构的二维(2D)MoS2晶体管,其具有不对称铁电栅极,具有高存储和逻辑能力,编程/擦除比超过106,自整流比为103。在光激发时,获得了106的大开关比和9种不同的电阻态,并具有出色的非易失特性。同时,通过模仿突触行为,器件响应不同强度和数量的光尖峰。该设计实现了在单个器件中集成强大的处理存储器,这表明非对称铁电栅极在开发用于逻辑处理和非易失性存储器应用的 Fe-FET 方面具有相当大的潜力。

Yurong Jiang. et al. ACS Nano 2022, 16, 11218−11226.



报告人:刘腾漳


Ultralow Off-State Current and Multilevel Resistance State in Van der Waals Heterostructure Memristors


复旦大学材料科学系光伏科学与技术国家重点实验室的Xinling Liu、Chi Zhang、Enlong Li研究团队在Adv. Funct. Mater.上发表了题为“Ultralow Off-State Current and Multilevel Resistance State in Van der Waals Heterostructure Memristors”的研究。作者设计了一种简单而通用的方法,通过在二维半导体和电极之间引入薄的h-BN夹层来解决二维半导体器件的大关断电流问题。h-BN夹层的厚度是调节界面肖特基势垒的关键参数,从而影响关断态电流水平。制备的石墨烯/α-In2Se3/h-BN/Cr-Au忆阻器形成范德华异质结构,表现出单极电阻开关行为。值得注意的是,采用8 nm h-BN夹层的忆阻器具有4.2 × 10−13 A的超低关断电流,比没有h-BN夹层的忆阻器低5个数量级。它还实现了高达 109 的电流开关比和32 种不同的电阻状态,从而实现了强大的多位存储器功能。由于h-BN中间膜的自封装,保持了出色的稳定性和耐久性。此外,该方法也适用于基于 HfS2、WS2 和 WSe2 构建的忆阻器,凸显了其广泛的技术应用潜力。

Xinling Liu. et al. Adv. Funct. Mater. 2023, 2309642.



报告人:刘腾漳


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