p-n结二极管在电子器件制备方面具有多种优势，但其需要形成耗尽区，导致电流较低，并受到材料能带间隙的限制，从而难以实现高效的光电转换。为克服这些限制，Sungkyunkwan大学的文锡正教授等人报道了一种新型的SIS（单层MoS2、h-BN和p-GaN组成）异质结二极管。相对于传统的p-n结二极管，SIS二极管具有无耗尽区和由隧穿效应导致的高电流流动等优点。该研究利用了单层MoS2、h-BN和p-GaN的高透明度、原子级厚度以及可预测的电子输运特性，探索出一种新型的纳米尺度电子器件。
Jeong, Hyun, et al. "Semiconductor–insulator–semiconductor diode consisting of monolayer MoS2, h-BN, and GaN heterostructure." Acs Nano 9.10 (2015): 10032-10038.
报告人：贾仕豪
