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首页>> news>> 2024年01月组内文献阅读汇报



在动量空间中测量具备翻转对称性的一维衍射系统的拓扑相位


光子晶体的拓扑态在低阈值激光器、量子逻辑门、高次谐波增强等领域有着重要的应用价值。 理论上,光子晶体的拓扑态由Berry phase表征,在一维情况下Berry phase退化为Zak phase。 Zak phase可以通过动量空间高对称点的近场电场对称性来判断。然而,在实验上利用远场方法测量光子晶体的Zak phase依然具有挑战。近来,香港中文大学的C. Liu等人在理论和实验上提出了一种测量反射谱判断Zak phase的方法。他们在实验上测量金光栅结构的衍射强度和相位,利用模式耦合理论拟合,得到高对称点的布洛赫波函数本征态。对比K=0和Π两点的本征态异同得到Zak phase。和高对称点近场电场的对称性比较可以得到一致的结果,证明该方法的准确性。此外,他们还利用两个不同的拓扑态结构拼接构建形成拓扑保护的界面态。该工作为拓扑光子晶体的设计和实验表征提供了重要参考。

Determination of the Zak phase of one-dimensional diffractive systems with inversion symmetry via radiation in Fourier space. C. Liu,* H. R. Wang,* and H. C. Ong. Phys. Rev. B 108, 035403 (2023)



报告人:李慰


基于SSH model的石墨烯拓扑等离激元


石墨烯等离激元极化子具备再中红外和太赫兹波段局域电场的能力。金属-介质-石墨烯构型可以形成声学石墨烯等离激元极化子,相比传统的石墨烯极化子其纵向束缚模具备更大的动量。拓扑光子晶体的不同拓扑态拼接可以形成拓扑界面态。拓扑保护的界面态具备极强的电场局域能力,在光与物质相互作用领域具有广阔的应用前景。近来,葡萄牙里斯本大学的Tatiana G. Rappoport等人提出了一种二聚体银光栅-石墨烯耦合系统,可以实现石墨烯的增强吸收。他们改变光栅之间的相对间距构造不同的拓扑态,进而将拓扑态拼接形成拓扑保护的界面态。通过不断调节耦合强度的差异,发现耦合系统带隙可以被连续调节。通过电场仿真,发现界面态处可以实现电场的140倍增强。该工作为石墨烯极化子器件的设计提供了重要参考。

Topological Graphene Plasmons in a Plasmonic Realization of the Su−Schrieffer−Heeger Model. Tatiana G. Rappoport,* Yuliy V. Bludov, Frank H. L. Koppens et al. ACS Photonics 8, 1817 (2021)



报告人:李慰


Origins of Fermi Level Pinning for Ni and Ag Metal Contacts on Tungsten Dichalcogenides.


德克萨斯大学Xinglu Wang、Yaoqiao Hu、Seong Yeoul Kim和Rafik Addou 研究员团队在ACS Nano上发表了题为“Origins of Fermi Level Pinning for Ni and Ag Metal Contacts on Tungsten Dichalcogenides”的研究。作者通过考虑W-TMD的界面化学、能带排列、杂质和缺陷、接触金属吸附机制以及由此产生的电子结构,说明了Ni、Ag和W-TMD接触的EF钉扎的起源。Ni/W-TMD形成共价接触,界面上 EF 钉扎的起源可归因于缺陷、杂质和界面反应产物。而Ag/W-TMD形成范德华接触,EF钉扎主要是缺陷和杂质导致的TMD电子修饰,金属诱导带隙态影响较小。还讨论了设计金属沉积方法的潜在策略。这项工作从实验和理论上揭示了金属/TMD 界面EF钉扎的起源,为进一步增强和改善器件性能提供了指导。

Xinglu Wang. et al. ACS Nano, 2023, 17(20): 20353-20365.



报告人:刘腾漳


Capacitive Memory Window With Non-Destructive Read in Ferroelectric Capacitors.


佐治亚理工学院和imec的Shankha Mukherjee、Jan Van Houdt、Shimeng Yu研究员团队在IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上发表了题为“Capacitive Memory Window With Non-Destructive Read in Ferroelectric Capacitors”的研究。在这项工作中,作者研究了非易失性电容存储窗口(MW)的起源,并通过界面非对称工程和VR优化实现了非零MW。通过界面非对称工程,在VR=0 V时显示了创纪录的高非易失性电容MW ∼4.71×ϵ0。通过优化非零VR,展示了非对称和对称堆叠结构创纪录高的MW,分别达到∼7.5×ϵ0和∼8.0×ϵ0。最后,报告了一种非破坏性读取操作并探讨了其内在局限性。

Shankha Mukherjee. et al. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 44(7): 1092-1095.



报告人:韩卓轩


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