层状二维材料由于其良好的物理性质在柔性和透明电子器件中得到广泛的关注。中国科学院半导体研究所的Qi Feng等人通过多层黑磷和三维AHA电荷阱栅堆栈组成非易失性电荷阱存储器件。观测到一个超过12V的记忆窗口，并且器件具有高耐久性和稳定性。高的写入/擦除电流比，大的存储窗口、稳定的性质和高开/关电流比，为薄层二维材料存储器件提供了一条有前途的路径。
Feng, Q., Yan, F., Luo, W. & Wang, K. Charge trap memory based on few-layer black phosphorus. Nanoscale 8, 2686–2692 (2016).
报告人：白庆虎
