• 首  页
  • 人员构成
  • 研究方向
  • 科研进展
  • 实验设备
  • 最新动态
  • 联系我们
  • English

首页>> news>> 2023年11月组内文献阅读汇报



Nonlinear polaritons in a monolayer semiconductor coupled to optical bound states in the continuum.


连续介质中的光束缚态(BICs)提供了一种在光子晶体中实现非常窄的共振的方法。这些系统中相互作用时间的延长对于增强非线性光学过程和开发下一代有源光学器件具有重要的应用前景。然而,光学BICs的纯光子特性限制了可实现的相互作用强度。该工作将光子晶体板中的光学BIC与单层MoSe2中的激子混合,形成了具有27 meV拉比分裂的非线性激子极化激子,表现出巨大的相互作用诱导的光谱蓝移。当激子极化激元的辐射向远场的BIC方向渐近地抑制时,再加上通过运动变窄而有效地减少激子失谐,就会导致激子极化子线宽小于3mev。加上与强波矢量相关的Q因子,它提供了对激子极化激元-激子极化激元相互作用以及由此产生的非线性光学效应的增强和控制,为可调谐的基于BIC极化激元的传感、激光和非线性光学的极化子器件铺平了道路。

文献出处:Kravtsov, V., Khestanova, E., Benimetskiy, F.A. et al. Nonlinear polaritons in a monolayer semiconductor coupled to optical bound states in the continuum. Light Sci Appl 9, 56 (2020).



报告人:罗猜


Photonic-crystal exciton-polaritons in monolayer semiconductors.


半导体微腔极化激元通过强激子-光子耦合形成,为更好的光子技术提供了一个基于芯片的量子多体系统,具有丰富的物理现象。然而,传统的激子极化子腔体积大,难于集成,而且对于模式控制不灵活,特别是对于室温材料。该工作展示了两种最紧凑和通用的系统的集成——单层二维材料(TMD)作为有源介质,而深亚波长厚度的光子晶体(PC)作为光学结构形成一个超紧凑和可设计的激子极化子系统。TMD-PC极化激元分别在室温下的单分子层WS2和110k以下的WSe2中观察到,这是各类型TMD在介质腔中强耦合的最高温度。TMD-PC极化子具有高度各向异性的能量-动量色散,具有可调的反射率和尖锐的Fano共振,以及对暗激子非辐射损耗的强抑制。这些特性将有助于控制和优化激子极化子动力学的非线性激子极化子现象和应用。

文献出处:Zhang, L., Gogna, R., Burg, W. et al. Photonic-crystal exciton-polaritons in monolayer semiconductors. Nat Commun 9, 713 (2018).



报告人:罗猜


Identification of spin, valley and moiré quasi-angular momentum of interlayer excitons


莫尔超晶格为设计二维范德华异质结构中的电子和激子特性提供了一种强大的方法。因为层间激子的电子和空穴驻留在不同的层中,莫尔纹对于电子和空穴位于不同层的层间激子的局域作用尤其强烈。特别是最近有人提出,莫尔超晶格电势不仅能将层间激子态定位在不同超晶格位置上,而且还承载着新出现的莫尔准角动量 (QAM),它能周期性地切换不同莫尔位置的层间激子的光学选择规则。在此,作者报告了在 WSe2/WS2 莫尔超晶格中观察到多个层间激子态共存的情况,并通过共振光泵浦探针光谱和光致发光光谱明确确定了它们的自旋、谷和莫尔QAM。作者证明了层间激子会表现出相反的光学选择规则,揭示了利用空间变化的莫尔QAM激子态和谷物理学在光电和谷电应用的新机遇。

Chenhao Jin et al. Nature Physics, 2019, 15, 1140–1144.



报告人:张天天


Distinctive g Factor of Moiré-Confined Excitons in van der Waals Heterostructures


作者研究了高质量 hBN/WS2/ MoSe2/hBN 微光致发光(μPL)光谱中激子峰的谷泽曼分裂。通过研究高质量 hBN/WS2/ MoSe2/hBN 异质结构在高达 20 T 的垂直磁场下的激子峰的谷泽曼分裂,在 μPL 光谱中发现了两个中性激子峰mX和XA;能量较低的峰相对于高能量峰显示出较低的g 因子,并且远低于最近报告的其他范德华(vdW)化合物的层间激子值,证明了莫尔局域的激子显示出了降低了 g 因子。此外,扭转角为 0°和 60°的样品也获得了相似的 g 因子值。这表明层内和层间激子之间存在微弱的杂化效应,观察到的g值的减小是由于莫尔激子的质心动量量子化的结果。这使它能够探测布里渊区的一些区域,电子-空穴对的角动量状态较低存在这些布里渊区区域中。最后提供的证据表明,层间扭曲所产生的电势景观中的空间限制使得磁μPL是深入了解摩尔纹图案对vdW 异质结构中的激子约束效应的重要工具。

Y. Galvaõ Gobato et al., Nano Letter, 2022, 22, 8641−8646.



报告人:张天天


Analog and Digital Mode α-In2Se3 Memristive Devices for Neuromorphic and Memory Applications.


新加坡国立大学Yishu Zhang、Lin Wang、Hao Chen和Teng Ma研究员团队在Advanced Electronic Materials上发表了题为“Analog and Digital Mode α-In2Se3 Memristive Devices for Neuromorphic and Memory Applications”的研究。作者证明了根据驱动电压,可以在单个交叉杆型双端(Au-Ti) α-In2Se3器件中实现数字或模拟忆阻器。模拟操作通过铁电极化调制肖特基势垒实现,而电阻细丝切换驱动数字操作。通过调节铁电性质,可以获得多种模拟电导状态,用于模拟各种突触行为。构建的模拟神经网络对于手写数字识别显示出良好的在线学习准确性(≈93.2%)。基于灯丝形成/断裂机制,α-In2Se3器件还表现出优异的数字存储性能。双端α-In2Se3器件中模拟和数字存储模式的组合在高密度和复杂的电子器件中是有用的。

Yishu Zhang. et al. Adv. Electron. Mater. 2021, 7, 2100609.



报告人:刘腾漳


Exploring Ferroelectric Switching in α-In2Se3 for Neuromorphic Computing.


新加坡国立大学Lin Wang、Xiaojie Wang、Yishu Zhang研究员团队在Advanced Functional Materials上发表了题为“Exploring Ferroelectric Switching in α-In2Se3for Neuromorphic Computing”的研究。作者通过利用α-In2Se3的铁电性和半导体特性,制造了铁电半导体场效应晶体管(FeSFETs ),并展示了它们作为人工突触的潜力。通过控制面外极化,可以在α-In2Se3基FeSFETs中诱导多种电导状态,这使得该器件能够模拟生物合成行为。此外,当在面内铁电切换模式下操作时,α-In2Se3中的异常电阻切换现象被报道。这些发现为基于α-In2Se3的FeSFETs在脑启发智能系统中开发神经形态设备铺平了道路。

Lin Wang. et al. Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 2004609.



报告人:刘腾漳


版权所有 ©  2019- 2021 中国科学院物理研究所 纳米物理与纳米器件实验室 N10 课题组 电话:010 82648197