北京大学Bo Liu、Fengjiao Lyu、Bin Tang和Xuan Li研究员团队在ACS Applied Electronic Materials上发表了题为“Contact Properties of Two-Dimensional Ferroelectric α‑In2Se3.”的研究。作者通过研究场效应晶体管的特性，提取了铁电α-In2Se3纳米片与金属接触处的肖特基势垒高度(SHBs)。具有不同功函数的三种典型金属，钛(Ti)、铬(Cr)和钯(Pd)被用作源/漏电极。测得Pd接触的SBHs为52 meV，Cr接触的SBHs为24 meV，而Ti与α-In2Se3纳米片形成欧姆接触。结果表明，在α-In2Se3导带底附近有一个显著的费米能级钉扎。使用转移长度法(TLM)，作者发现，对于Pd和Ti接触，随着In2Se3厚度从56 nm减小到大约20 nm，接触电阻显著增加。，而Pd接触的接触电阻比Ti接触的接触电阻大几倍。这些结果对理解2D铁电材料的接触特性具有重要意义。
Bo Liu. et al. ACS Appl. Electron. Mater. 2021, 3, 4604−4610.
报告人：刘腾漳
