普渡大学Mengwei Si、Zhuocheng Zhang、Dongqi Zheng和Junkang Li研究员团队在ACS Nano上发表了题为“Asymmetric Metal/α-In2Se3/Si Crossbar Ferroelectric Semiconductor Junction”的研究。作者提出并报告了不对称金属/α-In2Se3/Si 交叉铁电半导体结（c-FSJ）的实验演示。通过铁电极化有效调制与参杂硅耗尽区的有效肖特基势垒高度。实现了高性能的α-In2Se3 c-FSJ，其在室温下具有大于104的高开/关比，在140℃的高温下具有大于103的开/关比，保持时间大于104 s，耐久性大于106次循环。并且通过引入金属/α-In2Se3/绝缘体/金属结构，α-In2Se3不对称FSJs的开/关比可以进一步提高到> 108。这些结果表明α-In2Se3 c-FSJ是一种有前途的低功耗高密度非易失性存储器和神经形态计算应用的候选铁电器件
Mengwei Si. et al. ACS Nano 2021, 15, 3, 5689–5695.
报告人：刘腾漳
