最近，转角范德瓦耳斯材料中的莫尔超晶格已成为一个很有前途的电子和光学特性工程平台。全面了解这些系统并利用其潜力的一个主要障碍是将莫尔纹结构的直接成像与光学和电子特性相关联。在此，本文开发了一种二次电子显微镜技术，能够直接成像全功能范德华异质结构器件中的堆叠畴。在演示了多层石墨烯中 AB/BA 和 ABA/ABC 结构域的成像之后，又利用这种技术研究了转角 WSe2/WSe2 双层膜中重建的莫尔纹图案，并将莫尔纹周期性的增加与在光致发光测量中，两种不同激子的出现直接相关。这些状态可以通过静电门控 调控，并发现具有不同的谷相干特性。我们将观测结果归因于在超晶格中交替驻留的两种层内激子种类阵列的形成，并为在扭曲的范德瓦尔斯异质结构中实现可调激子阵列的提供了新途径，其应用领域包括量子光电和探索新型多体系统。
Nature Materials, 20, 480-487, 2021.
报告人：张天天
