内容: 该工作利用银纳米凹槽腔的局域表面等离激元共振和WS2的A激子形成强耦合,分析二能级哈密顿量能够得EP形成的条件,最终确定调节的参数分别为共振失谐量∆和耦合强度g,二者分别由凹槽腔的深度d和氧化铝中间层的厚度t控制。通过在银盘表面制备一系列不同深度的凹槽腔得到不同失谐量对应的耦合情况,通过测量位置对应的反射谱提取共振位置和线宽确定局域等离激元模式和激子模式处于强耦合状态。进一步通过制备一系列不同厚度的中间层的样品,测量并提取其反射谱得到弱耦合(PT-broken phase)到强耦合(PT-unbroken phase)的转变,其中发生转变的临界点为EP。
文献来源:Sang et al. Nano Lett. 21, 2596−2602(2021)
作者:Yungang Sang, Chun-Yuan Wang, Soniya S. Raja, Chang-Wei Cheng, Chiao-Tzu Huang, Chun-An Chen, Xin-Quan Zhang, Hyeyoung Ahn, Chih-Kang Shih, Yi-Hsien Lee, Jinwei Shi, and Shangjr Gwo
报告人:彭家华