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首页>> news>> 2026年08月组内文献阅读汇报



文献标题:Time-Resolved Nonlinear Ghost Imaging 时间分辨非线性鬼成像


太赫兹时域光谱可以同时测量电场幅度和相位,但缺少高分辨、场敏感的二维探测器。传统太赫兹单像素/鬼成像多依赖强度测量和掩模调制,难以准确恢复复杂样品的相位、时间延迟及光谱信息。基于此,本文研究内容包括提出了时间分辨非线性鬼成像方法:先用SLM调制光学图案,再通过非线性频率转换直接产生结构化THz光场,经过样品后利用TDS单像素探测器记录完整时间波形。结合Walsh–Hadamard编码和逆传播算法,可补偿传播中的衍射与时空耦合,实现样品的空间和时间响应重建。创新点是一是将非线性THz产生与时间分辨鬼成像结合,直接利用光学SLM生成高分辨THz结构光;二是从传统强度鬼成像扩展到电场幅度和相位的全波测量;三是通过时空逆传播补偿传播过程中的图案畸变,实现深亚波长成像;四是同时获得空间和光谱信息,实现单像素THz高光谱成像。文章结论为该工作提出了一种基于非线性结构光产生和TDS全波探测的时间分辨鬼成像方法。相比传统固定时间或强度型鬼成像,该方法能够更准确地恢复复杂、半透明和亚波长样品,并实现材料的高光谱识别。启发在于利用时间维度不仅可以提高鬼成像质量,还可以用于补偿传播畸变并提取材料光谱信息。该思路说明,非线性频率转换可以作为难以直接调制波段的“结构光生成器”,未来可拓展到太赫兹、红外等缺乏成熟空间光调制器的成像领域。

文献来源:ACS Photonics, 5, 3379-3388 (2018). 作者:Luana Olivieri, Juan S. Totero Gongora, Alessia Pasquazi, Marco Peccianti.



报告人:高恩博

文献标题:Exciton–Polariton Valley Hall Effect in Monolayer Semiconductors on Plasmonic Metasurface (等离激元超表面上单层半导体中的激子极化激元谷霍尔效应)


单层过渡金属硫族化合物中的K和K′ 谷具有相反的圆偏振光学选择定则,因此谷自由度可以作为一种信息载体,但普通激子的谷极化容易发生快速退相干,而且传播距离较短,限制了谷电子学器件的发展。本文将单层WS2与一维Ag亚波长纳米沟槽超表面结合,使WS2激子与沟槽支持的表面等离激元极化激元发生强耦合,形成同时具有激子谷自由度和等离激元传播特性的谷激子极化激元,并进一步观察到定向输运。内容包括:在单晶Ag薄膜上制备纳米沟槽阵列,并覆盖约5 nm Al2O3后转移单层WS2。通过调节使沿沟槽方向传播的SPP模式与WS2的A激子附近共振。角分辨反射光谱中观察到明显反交叉,通过耦合振子模型拟合得到相干耦合强度约59 meV,证明形成了激子–SPP 极化激元。随后利用偏振分辨动量空间 PL 成像发现,σ+和 σ-谷极化激元分别向不同动量方向传播,动量空间最大谷极化度约为0.6。定向输运来源于表面波的横向自旋角动量与传播方向相互锁定,从而使不同谷对应的圆偏振激子选择性耦合到不同传播方向的 SPP。进一步的实空间 PL 成像显示,两种谷极化激元沿不同方向传播。强耦合后的极化激元沿沟槽方向传播长度达到约 4.2 μm。创新点:相比仅依赖普通激子或弱耦合 SPP 进行谷输运,有较长传播距离。文章结论:单层 WS2激子与Ag纳米沟槽中的SPP模式可以进入强耦合状态并形成谷激子极化激元。由于SPP固有的自旋–动量锁定,不同谷指数的极化激元能够沿不同方向传播。启发在于2019年文献利用非对称沟槽打破镜面对称性,实现沿沟槽方向的一维谷激子分离;2025年则通过激子-SPP 强耦合形成谷极化激元,并结合二维 SPP 色散和自旋—动量锁定,实现二维动量空间中的谷极化激元分流。



文献来源:Lee et al. ACS Photonics 12, 1351–1358 (2025) 作者信息:台湾阳明交通大学 Wen-Hao Chang 团队



报告人:颜培烨

文献标题:Amplitude- and Phase-Controlled Surface Plasmon Polariton Excitation with Metasurfaces (超表面实现表面等离激元激发的振幅与相位调控)


对于集成等离激元光路,仅能控制SPP的传播方向并不足以完成复杂的相干信息处理,还需要对SPP的激发强度和相位进行独立、连续调节。传统棱镜或光栅方案通常依赖庞大光学元件、入射角调节或复杂干涉结构,难以在超薄平面器件中实现振幅与相位的同步可控。内容包括:本工作在金属—介质界面附近布置周期性金纳米偶极天线阵列,并使天线取向沿x方向具有恒定旋转梯度。单个天线散射场的反手性分量携带2φ的Pancharatnam–Berry几何相位,因此阵列同时提供普通周期结构的光栅动量与偏振相关的额外几何相位动量。在800 nm设计波长附近,RCP与LCP分别优先耦合到相反方向传播的SPP;通过将入射偏振从线偏振连续改变为椭圆偏振和圆偏振,可以连续改变左右两个SPP通道的相对激发强度,实现振幅控制。进一步地,在保持线偏振条件时,两个方向SPP的强度近似相等,但其相对相位随线偏振方位角α变化。作者利用两侧出耦光栅产生的远场干涉条纹测量相位,实验显示双向SPP的相位差Δ与入射线偏振角呈线性关系,满足Δ≈2α,因此单路SPP相对于激发场的相位可随偏振角连续调节。样品由130 nm金膜、30 nm MgF₂间隔层及约200 nm×100 nm、厚约33 nm的金纳米天线构成,阵列周期ax=650 nm、ay=500 nm,相邻天线旋转步长为π/8;实验在设计波长处RCP激发效率约为4%。创新点:在同一超薄超表面架构中,将入射光的“偏振椭圆率”与SPP振幅控制对应,将“线偏振方位角”与SPP相位控制对应,从而实现对SPP振幅和相位两个关键自由度的独立、连续调节;相位控制依赖几何相位而非窄带共振,因此具有较好的概念通用性,并可推广到介质波导模式耦合。文章结论:实验同时验证了手性依赖的单向SPP激发和偏振控制的相位调制,证明纳米天线超表面可以在不改变器件几何结构的情况下,仅通过入射偏振态同步塑造SPP的强度与相位。作者指出该概念可用于自由空间光与集成波导之间的可控耦合、量子态工程,并可结合液晶薄膜等动态偏振调制手段形成完整的集成光学器件。启发:本工作进一步建立了“偏振参数—SPP复振幅”的映射关系,即通过一个超表面直接调控SPP的幅度和相位。这种思想可用于构建具有相干处理能力的片上探测与计算器件:如果在后端加入干涉、光电转换或多端电极读取,就有可能把入射光的偏振状态编码为多个电学可测量量,为无机械扫描的偏振/相位联合探测提供器件基础。



文献来源:ACS Photonics 2016, 3, 124–129; DOI: 10.1021/acsphotonics.5b00536 作者信息:Holger Mühlenbernd, Philip Georgi, Nitipat Pholchai, Lingling Huang, Guixin Li, Shuang Zhang, Thomas Zentgraf



报告人:袁斌杰

文献标题:Dual-Encrypted Chiral Imaging Based on VO2 Thermal Metasurfaces 基于VO2热超表面的双加密手性成像


传统手性超表面加密通常依赖外部激光照明,信息多由单一偏振通道进行输送,因而难以同时实现器件集成、动态调控、图像加密与多通道复用。针对这一问题,作者提出了一种基于二氧化钒(VO₂)相变材料的具有手性的温度控制超表面,研究目的在于利用物体自身的热辐射作为信息载体,并引入温度和偏振两个相互关联的维度,实现无需外部光源的动态手性成像。该工作的关键问题是:如何在同一超表面中产生性质不同且能够独立编码的偏振热辐射模式,同时降低多幅图像之间的串扰。研究发现,VO₂的绝缘-金属相变不仅会改变结构的光学常数,而且能够重构金属-介质-金属腔中的共振实现FP腔,使超表面在低温绝缘态下激发线偏振模式,在高温金属态下转变为具有明显圆二色性的手性模式,由此建立了温度控制偏振态切换的规律。更重要的是,作者发现两类模式可由不同几何自由度独立调控:开口环的旋转角主要决定线性二色性,而两个开口角主要控制圆二色性,说明线偏振和手性响应并非同时实现变化,可以在单个像素中分别编码。基于这一规律,作者构建数字编码热超表面,使隐藏图像只有在温度状态与检偏器偏振状态同时正确时才会显现,实现了温度-偏振双重加密。进一步研究还发现,几何参数对椭圆偏振热辐射的调制能力不同,因此即使采用线偏振与圆偏振这类非正交偏振基,也能通过优化检偏状态分离两幅图像,并获得较低串扰。该工作的核心创新引入VO₂进行热开关功能,将相变诱导的模式重构、偏振选择性热辐射、独立几何编码和非正交偏振复用统一到一个器件中,为自发辐射型信息加密、可重构手性成像及小型化多功能红外光学器件提供了新方法。



文献来源:Laser & Photonics Reviews 20, no. 16 (2026): e03122. 作者:Tianle Chen, Chen Ni, Xinran Li, Rui Chen, Pankaj K. Choudhury, Yungui Ma*



报告人:方伟康

文献标题:Observation of Dual‑Band Intrinsic Chirality in Underetched Silicon Metasurfaces via Quasi‑BICs


现有本征手性准 BIC 超表面大多依赖倾斜刻蚀、多步光刻等高复杂度 2.5D/3D 结构,工艺兼容性差,不利于大面积 CMOS 集成。针对该痛点,本文基于硅片,利用单次底切刻蚀工艺,分别引入面内、面外两套独立的对称破缺自由度,实现双波段符号相反的本征手性准 BIC。 该底切硅超表面,面内扰动破坏面内镜像对称,底切刻蚀带来垂直方向面外不对称;两套扰动协同将动量空间 C 点调控至 Γ 点,产生自旋选择的磁偶极子谐振模式。通过手性耦合模理论,阐明 CD 符号与偏振耦合相位差之间的内在关系。仿真表明两套准 BIC 可输出符号相反圆二色信号;实验上在通信波段测得 CD 最高 0.90,Q 值可达 3012。整套器件仅需单步刻蚀,工艺简单,对加工缺陷具备一定容忍度。仿真、理论模型与实验光谱匹配良好。 该实验方案兼容标准微纳加工,无需复杂三维构型,在手性传感、自旋选择光发射、非线性手性光子器件具备应用潜力。 结论:提出底切刻蚀实现双波段本征手性准 BIC 的 CMOS 兼容方案,面内 面外双重对称破缺实现符号可调控本征圆二色,获得近单位 CD 与超高 Q 共振,为大面积集成手性超表面提供可行工艺路径 启发:可以参考该文献机理,解释2.5维超表面原理以及论文总体思路。



文献来源:Nano Letters, 2026 作者:Leyi Zhu, Guanhai Li, Tian Sang 等



报告人: 鲍朋

文献标题: Miniaturized on-chip spectrometer enabled by electrochromic modulation 基于电致色变调制技术实现的微型片上光谱仪


传统台式光谱仪虽分辨率高,但体积庞大、成本高昂;而现有片上计算光谱仪虽可实现小型化,但其光谱分辨率受限于片上集成的滤波单元数量,增加滤波单元会显著增大芯片面积,难以在有限尺寸内进一步提升性能。 本文研究内容是利用电致变色效应,提出并实现一种电压可调的电致变色计算片上光谱仪(ECOS),通过对电致变色滤光片施加不同电压来动态改变其透射光谱,从而在不增加物理滤波单元数量的前提下,有效增加等效采样次数,提升光谱重建分辨率。 创新点一是设计并制备了ITO/WO₃/电解质/NiOₓ/ITO五层电致变色器件,并嵌入两片偏振方向可调的偏振片之间,利用电致变色材料的可逆氧化还原反应及偏振色散效应,使每个滤波单元在0 V、-1.2 V、-1.5 V等不同电压下产生差异显著的透射光谱,实现电压域上的多重光谱响应编码。创新点二是将电致变色调制的多组透射光谱作为先验响应矩阵,结合Tikhonov正则化或TVAL3重建算法,从同一组物理滤波单元中提取多倍于单元数量的有效采样信息;实验表明,仅用4个甚至2个滤波单元,在3组电压调制下即可获得可用的光谱重建结果,显著降低了片上光谱仪对滤波器数量的依赖。 文章结论为该ECOS在400–800 nm范围内,随着应用电压组数从1组增至3组,单色光峰值波长重建误差从1.61 nm降至0.29 nm,双峰光谱的MSE从0.04177降至0.00207;同时,利用单一电致变色滤波器结合偏振角度扫描,初步实现了高光谱成像,验证了其可用于超紧凑、低成本光谱传感的可行性。启发在于该研究将“时变/电调制的光谱响应”引入计算光谱仪设计,为突破片上滤波单元数量对分辨率的基本限制提供了新维度;该思路可推广至光致变色、力致变色、热致变色等其他可调材料体系,并有望与量子点、光子晶体等现有滤波结构结合,进一步推动便携式、可重构、甚至单像素级光谱传感器及高光谱成像系统的发展。



文献来源:Light: Science & Applications volume 13, Article number: 278 (2024) 作者:Menghan Tian, Baolei Liu, Zelin Lu, Yao Wang, Ze Zheng, Jiaqi Song, Xiaolan Zhong & Fan Wang



报告人: 马锦航


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