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首页>> news>> 2026年08月组内文献阅读汇报



文献标题: Robust single-mode laser via merging bound state in the continuum


研究背景:实现紧凑、稳定且高性能的单模激光器是集成光子学长期追求的目标。连续域束缚态(BIC)因其无限高品质因子和强光场局域能力,为高性能光子晶体激光器提供了理想平台。然而,有限尺寸效应和制造缺陷使高Q BIC模式性能显著下降,且高Q模式常与竞争模式共存,导致高功率下多模激射。尽管super-BIC和mini-BIC等概念已实现了阈值降低和尺寸缩减,但如何在有限BIC晶格中实现宽泵浦范围内的稳健单模工作,仍是未解难题。 研究内容 本文提出并实验验证了一种基于动量空间中合并BIC概念的稳健单模激光器。通过在InGaAsP多量子阱光子晶体平板中调控空气孔直径,将多个偶然BIC向Γ点对称保护BIC合并,显著提升了Γ点附近的Q因子并改变了其动量空间标度行为。在20×20周期器件中,合并前条件下实现了高达80倍阈值功率的严格单模激射,远优于精确合并条件。理论分析表明,预合并条件下s-态BIC与p-态竞争模式的阈值增益差为7.89 vs. 25.5 cm⁻¹(三倍差异),而合并条件下仅为7.96 vs. 10.66 cm⁻¹(1.3倍差异),预合并通过最大化模式间Q因子对比度有效抑制了高功率下的模式竞争。进一步通过边缘工程优化边界空气孔,在仅5×5周期(面积小于15 μm²)的超紧凑器件中实现了BIC单模激光。远场自干涉实验验证了BIC模式的偏振涡旋拓扑特性。 创新点一 首次发现并系统利用预合并BIC在有限尺寸光子晶体中的反常单模增强效应。与传统认知合并点最优相反,本文揭示合并前状态通过最大化基模与高阶模式间的阈值增益差,在高达80倍阈值下仍保持单模工作,是一种全新的稳健单模设计策略。这一反直觉发现在理论上通过有限尺寸的能级离散化和Q因子对比得到了定量解释。 创新点二 通过边缘工程直接提升5×5周期极小尺寸器件的BIC模式Q因子,整个图案化光子晶体区域小于15 μm²,无需依赖外围光子带隙结构。与以往mini-BIC激光器依赖较大异质结构中定义小腔核心不同,本方案中整个图案化区域即为有源区,为片上超紧凑BIC激光器提供了新路径。 结论 本文通过合并BIC概念,在光子晶体平板中实现了低阈值、高模式稳定性的单模激光器。在预合并条件下,20×20周期器件在80倍阈值功率下仍保持单模,显著提升了高功率稳定性。通过边缘工程,进一步实现了5×5周期(小于15 μm²)的超紧凑BIC激光器,在10倍阈值以上保持单模。远场特性证实了BIC模式的拓扑起源。该工作为高性能、小型化单模激光器提供了新的理论与实验基础。 启发方面 该研究最值得深思的发现是:合并本身并非最优,对于有限尺寸器件,预合并往往比精确合并更优。这一反直觉结论对其他BIC器件的设计具有普适性指导意义—在实际有限尺寸结构中,应基于有效模式展宽而非无限结构的理想条件来优化参数。此外,该工作系统展示了如何通过动量空间拓扑荷的协同覆盖来抑制辐射损耗,这种思路可推广至其他存在有限尺寸效应的拓扑光子器件设计中。

文献来源: Light: Science & Applications 15, 255 (2026). 作者:Kai Peng, Jiyoung Moon, Yilin Meng, Kiyanoush Goudarzi, Wei Li, Qing Gu, Wei Bao 发表日期: 27 May 2026



报告人:罗猜

文献标题:Pixelated electrically driven Sb2Se3 phasechange metasurfaces


本篇文章开发一种电学驱动的Sb₂Se₃相变超表面平台,实现Sb₂Se₃纳米结构与可寻址微加热器阵列的单片集成,在微秒量级实现局域化相变调控,并进一步扩展为二维像素化电学可寻址超表面阵列,结合神经网络辅助计算方法实现高精度光谱重建,为可重构光子学中的计算光谱学和智能传感提供可靠框架。 采用Sb₂Se₃纳米结构与微加热器阵列Ti/Au/Ti单片集成的混合架构,选用连续孔阵列而非孤立柱阵列,以提供更大的成核有效体积,改善结晶均匀性。通过设计欠耦合和过耦合两种共振模式,分别实现振幅主导和相位主导调制。通过单片集成Sb₂Se₃纳米结构与可寻址微加热器阵列,实现了>80%的振幅调制和近2π的相位调制,并将结晶脉冲宽度降至50 μs。在此基础上,演示了6×6像素阵列,并结合神经网络实现了近500 nm带宽内的高精度空间光谱重建。相变扩展方式在传输矩阵构建中展现出比静态扩展更优的频谱采样效率。该工作为推动集成式相变光场调制技术和器件的发展具有重要意义,在传感、成像、计算等领域具有广阔应用前景。

Siqing Zeng, Yuru Li, Luoyao Chu, Ruifeng Zhong, Annan Zhao, Yan Li, Shunyu Yao, Xiaojie Zeng, Xiaoqi He, Tao Zhang, Zhaohuan Ao, Zhihao Fu, Zhaohui Li, Chao Lu & Din Ping Tsai Zeng, S., Li, Y., Chu, L. et al. Pixelated electrically driven Sb2Se3 phase-change metasurfaces. Nat Commun 17, 7298 (2026). https://doi.org/10.1038/s41467-026-73199-6



报告人:王艺

文献标题:Enhanced Spontaneous Emission at Third-Order Dirac Exceptional Points in Inverse-Designed Photonic Crystals


内容:该文章利用拓扑优化设计出了一个由单极子、偶极子和四极子三重简并形成的狄拉克点,进一步引入非厄米性转化为三阶奇异点,并且在理论上增明了EP3能够显著增强LDOS从而增强自发辐射,并且对于被动系统,LDOS的最大增强理论上可达8倍。 在EP处,Petermann factor(K)趋近于无穷大。非厄米系统中,一般模式的左右本征矢量不再满足正交关系,Petermann factor是用于量化这种非正交程度的参数,对于非正交的模式,K大于1表明该模式的有效模式体积或LDOS发生改变,与正交模式对比,处于激发态的原子向该非正交模式发射光子的自发辐射速率就被放大了K倍。但是Petermann factor 在EP处的发散并不意味着自发辐射真的无限大。 理论上,自发辐射速率与LDOS直接相关,而LDOS与电磁格林函数直接相关: LDOS∝-ImTrG 在EP3处,由于本征态简并,则普通本征态不再完备,此时格林函数相对于非简并情况发生改变,从原来的一阶极点变成了包含了一阶、二阶、三界极点,此时EP3处的谱线就不是简单的一阶洛伦兹函数,而是包含了1、2、3阶洛伦兹响应。 最终理论上的EP3八倍增强是通过一个倍频积分和规则估算的,对于EPn: c_n/c_1 =(√π Γ(n+1))/(Γ(n-0.5)) N=3时增强约为8。



文献来源:Zin Lin et al. Phys. Rev. Lett. 117, 107402(2016) 作者:Zin Lin, Adi Pick, Marko Lončar, and Alejandro W. Rodriguez



报告人:彭家华

文献标题: Dirac-vortex topological cavities 狄拉克涡旋拓扑腔


研究内容: 本文针对传统二维光子晶体腔存在多个高Q带边模式竞争、难以在大面积范围内保持稳定单模的问题,本文将一维DFB和VCSEL中的拓扑中带隙模式推广至二维体系,在蜂窝光子晶体中利用广义Kekulé调制构造具有空间绕转质量项的Dirac涡旋腔。通过将K/K′点折叠至Γ点形成双Dirac锥,并使结构调制相位在实空间绕转2π,在涡旋中心形成基于Jackiw–Rossi机制的拓扑零模。创新点:一是实现了二维拓扑缺陷腔,并可通过绕数 w、涡旋半径 R、调制强度 m_0和势阱形状参数 α分别调控模式数、模式面积、辐射耦合和腔体尺度特性;二是发现Dirac涡旋腔的自由光谱范围满足 FSR∝V^(-1/2),不同于普通腔体的 V^(-1)标度,因此在大模式体积下仍能保持较大的FSR;三是在SOI平台上实验验证了不同绕数对应不同数量的拓扑模式,并获得与理论一致的矢量光束远场分布。实验中,50 μm尺度Dirac涡旋腔的FSR达到8.22 nm,而相同模式体积Fabry–Perot腔仅约1.28 nm。结论:Dirac涡旋腔能够在大模式面积下维持单一中带隙拓扑模式和较大的自由光谱范围,为大面积稳定单模激光、矢量光束产生和拓扑PCSEL提供了新的腔体设计方案。启发:该工作通过在Dirac能带中引入空间连续绕转的质量项,可以将拓扑从传统边界态进一步拓展到零维缺陷腔;其中“Dirac点构造—质量项开隙—实空间质量涡旋—拓扑局域态”的设计路线,为后续开展等离激元Dirac涡旋腔及拓扑激光研究提供了直接的理论和结构基础。



文献来源: Nature Nanotechnology, 2020, 15: 1012–1018 作者:Xiaomei Gao, Lechen Yang, Hao Lin, Lang Zhang, Jiafang Li, Fang Bo, Zhong Wang, Ling Lu



报告人: 赵健

文献标题:Topological Unidirectional Guided Resonances Emerged from Interband Coupling


研究背景:2020年的实验把UGR解释为一对半整数偏振拓扑电荷在动量空间中的碰撞,但是这种构造通常需要先从BIC分裂出C点,或者让C点从空白区域中产生。对于一个一般的光子晶体结构,如何稳定地产生这些偏振奇点并不清楚,而且之前的图像主要描述C点怎样运动,没有直接说明UGR自身在更高维参数空间中怎样产生、演化和湮灭,也没有厘清UGR与非厄米简并点EP以及Fermi弧之间的关系。本文提出利用上下镜面对称破缺产生的带间耦合作为新的调控自由度:让两条原本具有相反z方向奇偶性的能带发生杂化,通过调节耦合强度使其中一个方向的复辐射振幅为0,从而在不预先构造BIC或C点的情况下得到UGR。 研究内容 1:作者首先研究带有方形晶格圆孔的悬空氮化硅光子晶体板。当侧壁垂直,即θ等于0时,TMA模式φ1关于z方向为奇对称,TEC模式φ2为偶对称,因此两条能带即使发生交叉也不能相互耦合。将空气孔侧壁整体倾斜后,上下镜面对称被破坏,Hamiltonian中的带间耦合项随tanθ增大,φ1和φ2杂化成φ+和φ-两条能带。此时能带实部发生交叉而虚部发生反交叉,模式不再具有确定的z奇偶性,向上和向下的辐射随之变得不对称。在θ等于5.2°、kx等于0.022的位置,φ+能带上得到约70 dB的不对称比并形成UGR。由于kx轴受到y镜面对称保护,Ey分量自动为0,只需要让一个复数cx分量的实部和虚部同时为0,所以用θ和kx两个自由度就能够稳定地满足UGR条件。相同参数空间中还存在一个EP,但EP表示复本征值和本征态同时简并,而UGR表示某一辐射通道的振幅为0,两者位置并不相同。 图为倾斜侧壁引起带间耦合后的能带变化和辐射不对称比、奇偶模式杂化以及UGR与EP在复能带参数空间中的位置关系 2:向下辐射的复振幅为0时,它的相位没有定义,因此UGR本质上也是辐射相位的奇点。在固定ky等于0和r/a等于0.225后,作者把θ、kx和板厚h组成三维参数空间。由于一个复数为0对应两个实条件,这些相位奇点在三维空间中不会只是孤立点,而会连接成连续的相位位错线。固定h相当于用二维平面Σ去截这条位错线,每一个交点就是二维参数空间中的一个UGR。随着h增大,两个交点逐渐靠近;当h约等于0.5698a时,Σ与位错线相切,两个UGR碰撞;继续增大h后交点消失。由此可见,某个二维截面中的UGR数目并不守恒。为了描述位错线穿过平面的方向,文章定义相位绕数S等于(1/2π)乘以闭合回路上辐射相位的总变化。两个UGR分别携带S等于+1和-1,碰撞前后的总拓扑指数始终为0。 图为三维参数空间中的相位位错线以及一对UGR的产生和湮灭 3:3:UGR和EP都由带间耦合产生,因此它们可以在同一参数空间中相互作用。作者将空气孔改为三角形并只保留y镜面对称,在θ等于11.5°时得到一条发卡形的UGR位错线,同时存在一对由Fermi弧连接的EP。对于等边三角孔d等于0的情况,两个UGR都位于φ+能带上并携带相反的S。把孔形逐渐改成等腰三角形,即将d调到50 nm后,S等于+1的UGR穿过Fermi弧,从φ+能带转移到φ-能带,而S等于-1的UGR仍留在φ+。单独看每条能带时UGR贡献的拓扑指数发生了变化,但是Fermi弧同时分别贡献SF等于+1和-1,使每条能带上的总指数SU加SF仍然等于0。 图为UGR跨越Fermi弧并在两条杂化能带之间转移 4:UGR不仅可以通过Fermi弧跨越两条非厄米能带,也可以通过一个受到面内对称性保护的拓扑平庸带简并转移。对于带圆孔并具有C4对称性的光子晶体,TMC和TMD模式在Γ点简并。沿ky轴时TMC与TED耦合,能够在TMC能带上形成UGR;沿kx轴时TMD与TEC耦合,则能够在TMD能带上形成UGR。两组参数空间在Γ点重合,因此属于TMC和TMD的两条相位位错线也在该点连接。增大板厚h时,原来位于TMC能带上的一对UGR先在Γ点碰撞形成S等于0的湮灭点,随后又从同一位置在TMD能带上重新产生。整个过程中UGR从一条能带连续转移到另一条能带,而两条能带合起来的总拓扑指数保持为0。 图为UGR通过Γ点的拓扑平庸带简并从TMC能带转移到TMD能带 文章结论:文章给出了一种更加一般的UGR构造方法,即利用上下镜面对称破缺引起的带间耦合,让两条正交能带的辐射场发生杂化和相消。只要存在面内镜面对称,高对称线上一个偏振分量会自动消失,UGR就能够作为二维参数空间中的稳定相位奇点出现;如果没有面内镜面对称,一般需要四个自由度才能同时消除两个复偏振分量。文章把UGR提升到三维参数空间中的相位位错线来理解,并说明二维截面中的UGR可以成对产生和湮灭,也可以穿过Fermi弧或对称性保护的普通带简并在不同能带之间转移。在这些变化中,UGR和其他相位奇点共同携带的总相位绕数满足守恒。该工作主要是理论研究,但为在不同材料和结构中系统寻找UGR,以及把UGR与EP等非厄米现象结合提供了清晰的方法。



P文献来源: PHYSICAL REVIEW LETTERS DOI:PhysRevLett.130.056401 作者:Xuefan Yin,Takuya Inoue, Chao Peng, and Susumu Noda



报告人: 汪志远

文献标题: Geometry dependence of surface lattice resonances in plasmonic nanoparticle arrays


研究背景 局域表面等离激元共振(LSPR)能将光场局域在纳米尺度并产生巨大的近场增强,在传感、非线性光学和自发辐射调控等方面具有广泛应用前景。然而,单个金属纳米颗粒的LSPR由于强烈的辐射阻尼,通常表现为宽光谱线宽和低品质因子,严重制约了其在高分辨光谱和精密传感等领域的实际应用。当纳米颗粒排列成周期性阵列时,颗粒间的偶极相互作用可诱导出集体共振模式——表面晶格共振(SLR),其线宽显著窄于单个颗粒的LSPR,并表现出角度依赖的色散特性。尽管SLR已在光捕获、发光调控、强耦合和等离激元激光等领域展现出巨大潜力,但此前对不同晶格几何如何系统性影响SLR色散特性的研究尚不充分,尤其是在斜入射条件下复杂晶格(如蜂窝、Lieb结构)的SLR行为几乎未被探索,且缺乏一个直观的通用理论框架来预测和解释这些丰富的模式结构。 研究内容 本文系统研究了银纳米颗粒阵列中不同晶格几何对SLR色散的影响。作者提出了一个简洁而通用的理论模型:将SLR模式理解为晶格的衍射级次与单个颗粒上电偶极辐射方向之间的耦合结果——颗粒的辐射方向与入射光偏振垂直,只有那些传播方向与偶极辐射方向一致的衍射级次才能被有效激发。基于这一模型,作者对方形、六角形、矩形、45度旋转方形、蜂窝和Lieb等六种不同晶格进行了理论分析,并在实验中制备了相应的大面积银纳米颗粒阵列,通过角分辨透射光谱测量了TE和TM偏振下的消光谱,获得了完整的SLR色散曲线。实验结果表明,不同晶格的SLR色散呈现显著差异:方形晶格在两种偏振下分别支持两支和三支模式;六角晶格因六个等效衍射级次而表现出更丰富的四支模式(TE)和两支模式(TM);矩形晶格因两个方向周期不等导致TE和TM模式的Γ点能级分裂;45度旋转方形晶格则使SLR几乎对偏振不敏感;而蜂窝和Lieb这类具有多颗粒基元的复式晶格,其衍射级次受基元内颗粒位置的包络因子调制,虽然色散位置与对应的布拉维晶格一致,但消光强度和耦合强弱因填充率提高和相位因子变化而显著改变。作者还通过FDTD数值模拟对方形晶格的近场相位分布进行了验证,清晰地展示了不同SLR模式对应的波前传播方向。 创新点一 首次提出了一个基于衍射级次矢量方向与偶极辐射方向匹配的直观模型,将复杂的SLR色散问题简化为几何关系判断,使得任意晶格结构支持的SLR模式可以被快速预测和解读。创新点二 发现矩形晶格中TE/TM模式Γ点分裂的根源在于两个方向周期不同导致衍射级次能级错开,这一机理被先前研究忽略,本文给出了清晰的理论解释。 结论二揭示了等离激元BIC体系中辐射损耗与固有损耗的竞争关系,通过单一结构参数α即可实现从欠耦合到临界耦合再到过耦合的全程调控,并建立了相应的理论模型 总结 本研究通过理论建模、实验测量和数值仿真三位一体的系统研究,建立了等离激元纳米颗粒阵列SLR色散与晶格几何、入射偏振之间的清晰映射关系。 启发方面 这篇文章给我们最重要的启发在于:面对复杂的周期性结构,不必急于投入繁琐的全波数值计算,而应先从最基本的对称性和偶极辐射特性出发进行几何分析,往往能获得最核心的物理图像。它所建立的“衍射级次-偶极方向匹配”框架极具教学价值和设计指导意义



PHYSICAL REVIEW B 95,155423 (2017) 作者:R. Guo, T. K. Hakala, and P. Törmä* 发表日期: published 13 April 2017



报告人:喻志翔


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