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首页>> news>> 2026年05月组内文献阅读汇报



文献标题: Microscopic Mechanisms of Exciton Polariton Relaxation in Monolayer WS₂ Microcavities


研究背景 单层过渡金属硫化物微腔中的激子极化激元因其强自旋-轨道耦合、大激子结合能、室温稳定性及范德华异质集成能力,成为研究谷电子学、拓扑光子学和超快光电器件的理想平台。然而,极化激元的有效能量弛豫是调控凝聚、输运和非线性行为的关键。尽管在GaAs、有机物等体系中弛豫机制已有广泛研究,但在TMD微腔中,极化激元-声子散射与极化激元-极化激元相互作用的竞争关系及其温度、功率、失谐依赖性尚缺乏系统性理解,限制了TMD极化激元器件的性能优化。 研究内容 本文系统研究了单层WS₂平面微腔中激子极化激元的能量弛豫微观机制。通过变温、变激发功率密度和变腔失谐的角度分辨光致发光测量,发现弛豫过程主要由两种途径主导:热激活的极化激元-声子散射和强两体极化激元-极化激元相互作用。这两种机制在不同温度区间存在竞争关系:高温下声子散射主导,低温下极化激元相互作用主导,中间温度两者均减弱,导致弛豫效率出现非单调变化。在室温下增加激发功率促进极化激元向低能态弛豫;而在低温下增加功率反而导致极化激元向高能态移动,表明相互作用介导的弛豫通道趋于饱和。驱动耗散Gross-Pitaevskii模拟验证了上述现象。 创新点一 首次在TMD微腔中定量揭示了极化激元-声子散射与极化激元-极化激元相互作用的竞争性温度依赖关系,并提出了包含两种机制的完整弛豫物理图像。发现弛豫效率随温度变化呈非单调行为,打破了以往单一机制主导的简化理解 创新点二 通过对比两种腔失谐,阐明了激子组分对弛豫路径的关键调控作用。较大负失谐降低激子分数,削弱极化激元相互作用,使低温下的弛豫能力显著下降。这一发现为通过失谐设计优化TMD极化激元器件性能提供了明确指导。 结论 本文揭示了单层WS₂微腔中激子极化激元弛豫的微观竞争机制:高温下声子散射主导,低温下极化激元相互作用主导,中温区两者均弱导致弛豫瓶颈。激发功率密度的作用在室温和低温下截然相反,反映了相互作用通道的饱和行为。数值模拟与实验高度吻合。该工作为理解和优化TMD基极化激元器件的弛豫过程奠定了理论基础。 启发方面 该研究展示了竞争性机制的非单调调控这一普遍物理思想:并非越强的相互作用越好,实际应用中需根据工作温度区选择最优的失谐和泵浦条件。此外,低温下增加功率反而削弱低能态占据的反直觉现象,对设计低温极化激元凝聚和激光器具有重要警示意义,提示需注意相互作用饱和导致的弛豫瓶颈。

文献来源: ACS Nano 20, 9761–9769 (2026). 作者:Zhiyuan An, Lingyu Tian, Huawen Xu, Yubin Wang, Baixu Xiang, Guihan Wen, Sanjib Ghosh, Ziyu Wang, Qihua Xiong 发表日期: 17 March 2026



报告人:罗猜

文献标题:Wannier representation of Z2 topological insulators


本文研究了如何为二维 Z2拓扑绝缘体构建威尔逊函数,并分析了拓扑相变对电子极化等性质的影响。我们将陈绝缘体定义为,具有非零陈数,破坏时间反演对称性。已知存在拓扑阻碍,无法构建局域化的威尔逊函数。对于Z2拓扑绝缘体,保持时间反演对称性,具有量子自旋霍尔效应。分为“偶”和“奇”两相。 理论上来硕,Z2拓扑绝缘体的总陈数为零,暗示可能存在局域化的威尔逊表示。采用包含A、B两个子晶格的六角蜂窝晶格,通过调节λv,系统可以在平凡绝缘体和拓扑绝缘体)之间发生相变。 最终证明了在二维Z2-odd拓扑绝缘体中,如果坚持要求威尔逊函数构成时间反演对,则存在拓扑阻碍,无法构建光滑的规范场。解决了拓扑绝缘体理论与第一性原理计算之间的一个关键连接点。它明确指出,对于拓扑非平庸材料,传统的、基于对称性配对的轨道初猜方法会失效,必须采用打破时间反演配对的策略才能获得物理上正确的局域化轨道描述。



文献来源:Soluyanov, Alexey A. and Vanderbilt, David DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.035108



报告人:王艺

文献标题: Direct observation of Landau levels in silicon photonic crystals 硅光子晶体中朗道能级的直接观测


研究内容: 本文针对光子无电荷、无法受洛伦兹力的天然特性,在二维硅光子晶体平板中通过应变工程引入等效伪磁场,理论推导适配光子晶体平板结构的狄拉克有效哈密顿量;实验直接观测到狄拉克点因伪磁场劈裂形成的光子朗道能级,揭示朗道能级因晶格畸变呈现色散的物理根源;进一步通过附加应变引入伪电场,实现色散朗道能级的平坦化调控;实验验证朗道能级空间位置与波矢的线性关联,完善光子伪磁效应的理论与实验体系。 创新点:一是首次在纳米光子域硅基光子晶体中直接实验观测光子朗道能级,证实应变诱导伪磁场可使狄拉克锥劈裂为满足√n规律的离散能级,填补硅基光子伪磁效应实验验证空白;二是提出伪磁场与伪电场协同应变设计,通过立方项附加应变抵消晶格畸变引发的二次色散,实现朗道能级平坦化,解决光子朗道能级非平带的核心问题。结论:硅光子晶体可通过非均匀应变构建等效伪磁场,使狄拉克点劈裂为频率与√n成正比的光子朗道能级;朗道能级的色散源于应变导致的晶格局域畸变,引入伪电场型附加应变可有效平坦化能级;光子朗道能级具备全域平带特性,能显著增强光与物质相互作用;基于伪磁场的解析框架为非周期光子结构设计提供全新理论方法。启发:本文跳出传统光子平带依赖周期结构设计的思路,开创应变工程与伪磁效应实现光子朗道平带的新路径,为慢光器件、强光 与物质相互作用器件提供全新设计方案;硅基兼容的伪磁朗道能级为片上量子霍尔效应模拟、拓扑光子集成提供实验平台;伪电场平坦化策略拓展了非周期光子结构的能带调控手段,推动纳米光子器件在粒子探测、医疗成像、量子信息等领域的应用拓展。



文献来源: Nature Photonics 18, 580–585 (2024) 作者:Maria Barsukova, Fabien Grisé, Zeyu Zhang, Sachin Vaidya, Jonathan Guglielmon, Michael I. Weinstein, Li He, Bo Zhen, Randall McEntaffer & Mikael C. Rechtsman



报告人: 赵健

文献标题: Plasmonic Surface Lattice Resonances: A Review of Properties and Applications


研究背景表面等离激元因其能够将光场压缩到纳米尺度并产生巨大局域增强,在传感、光电子、能源等领域具有重要应用。然而,传统等离激元模式存在明显局限:传播型表面等离激元 虽能获得中等宽度(~50 nm)的共振,但需要复杂的动量匹配;局域表面等离激元无需动量匹配,但单颗粒共振线宽通常超过80–100 nm,品质因子Q仅约10,严重制约了其在高精度传感、光调制等场景中的表现。如何在不牺牲局域场增强的前提下,大幅压缩等离激元共振线宽、提高Q值,成为领域内的核心挑战。早期理论和实验表明,将金属纳米颗粒排列成周期阵列,通过衍射耦合可以产生集体共振模式——表面晶格共振(SLR),其线宽可低至1–2 nm,Q值可达数百。 研究内容研究综述系统回顾了SLR的理论起源:从1960年代的偶极耦合模型,到Markel、Schatz等人建立的耦合偶极近似。在CDA框架下,阵列中每个颗粒的极化由入射场和所有其他颗粒的散射场共同决定,集体共振大幅降低了辐射阻尼。另外文中特别提到导电底层会吸收平行于表面的衍射光,强烈抑制面内SLR,但对面外模式影响较小。在发光方面SLR可增强并定向染料、量子点、LED的发光,方向性提高一个数量级;在增益介质中,SLR可降低激光阈值,实现可调谐、多模甚至单方向纳米激光。SLR与激子可进入强耦合区,形成等离激元-激子极化激元;用于非线性增强则二次谐波产生效率可提升10–30倍。 结论本文提出并实验验证了一种通过电磁anapole模式实现光子平带的新方法。研究发现,anapole模式因其独特的ED-TD相干相消特性,能够在简单晶格中形成强局域场分布,从而产生低色散平带。通过在硅盘中引入椭圆形空气孔,可以调控TD与ED的相对强度,使原本非辐射的anapole模式与远场有效耦合,同时保持平带特性。 启发方面本文全方面整理了等离激元表面晶格共振,对目前平带等离激元BIC的工作有着极高的参考价值,其中丰富的引用文献支撑起整个工作的研究脉络,在后续文章的撰写中也能提供思路上的指导  



作者:V.G.Kravets,† A.V.Kabashin,‡,§ W.L.Barnes,*and A.N.Grigorenko*,†, Chem.Rev.2018,118,5912−5951 发表日期: April14, 2018



报告人:喻志翔

文章标题:Ultrabright and stable top-emitting quantum-dot light-emitting diodes with negligible angular color shift《高亮度、高稳定性的顶发射量子点发光二极管,具备可忽略不计的角度色偏》


文章概述:过修正金属反射穿透深度的计算理论,解决了绿光单模微腔设计的理论误区;开发纳米晶组装膜折射率降低工艺,在保持电学最优厚度的同时满足单模共振条件;通过合成窄线宽绿光量子点,解决了单模微腔固有的角度色偏问题。文章的相关原理:1.顶发射 QLED 的核心是Fabry-Perot光学微腔效应:通过上下两个反射镜形成共振腔,增强法向光输出。其集成发射增强因子由以下公式决定: ξ为驻波腹点增强因子(当发射层位于腔腹点时最大值为2);R1、R2为上下反射镜的反射率(R1<R2);λ为发射波长;Δλn为量子点自然发射线宽;L_cav为微腔光学长度,τ_cav、τ为微腔内外量子点的自发辐射寿命。2. 单模微腔角度色偏的消除机理:传统认知认为单模微腔会导致严重的角度色偏,因为不同视角下的共振波长会发生蓝移。本文通过窄线宽量子点设计打破了这一认知。虽然单模腔的共振波长随视角增大而蓝移,但量子点的窄发射光谱始终与不同角度的腔模保持高积分重叠,因此色坐标变化极小。实验证明,将量子点FWHM从27nm降至21nm,可使60°视角下的色偏降低54%。3.器件稳定性大幅提升的机理:本文器件的寿命是传统TE-QLED的3倍以上,核心原因是:单模微腔使法向发射增强2.9倍,相同亮度下的工作电流密度降低约66%;低电流密度减少了焦耳热产生和载流子诱导的缺陷生成,从而显著抑制了器件降解;器件采用与最优底发射QLED完全相同的半导体层结构,保留了其固有的高稳定性。文章结论:①峰值亮度超过1.6×10⁶ cd/m²;②最高电流效率达204 cd/A;③1000尼特初始亮度下,亮度衰减至95%的时间达15600小时;④无任何额光提取结构的情况下外量子效率达29.2%;⑤0°至60°视角范围内,色偏仅为Δu'v'=0.0052。论文创新点:提出了一种通用的纳米晶组装膜折射率调控方法,无需改变材料组成,仅通过组装工艺即可精准调控折射率,且不影响电学性能和薄膜质量;首次实现了 TE QLED 在亮度、效率、寿命、色偏四个核心指标上全面超越最优底发射 QLED,证明了顶发射结构在显示应用中的优势;本文的设计思路和工艺方法可直接推广至蓝光、红光TE-QLED,以及钙钛矿 LED 等其他纳米晶发光器件,具有广泛的应用前景。



文献来源:Nature Communications (2024) 15 5161 文章作者:Mengqi Li, Rui Li, Longjia Wu. et al.



报告人:丁玺铮


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