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首页>> news>> 2026年04月组内文献阅读汇报



文献标题: Vectorial lasing with designable topological charges based on Möbius-like correspondence in quasi-BICs


研究背景 携带非平庸拓扑结构的激光发射在计量学、显微成像、光操控及量子信息处理等领域具有重要应用前景。然而,在单一紧凑结构中实现拓扑荷可设计的矢量激光仍面临巨大挑战。连续域束缚态作为同时具有超高Q值和动量空间偏振拓扑荷的特殊态,为紧凑拓扑激光提供了新平台。但现有BIC激光的拓扑荷受限于实空间结构对称性的保护,导致其设计自由度低,难以实现任意整数的拓扑荷调控。如何打破对称性限制并建立结构与拓扑荷之间的确定性设计关系,是该领域的核心难题。 研究内容 本文提出并实验验证了一种基于准BIC中类莫比乌斯对应关系的复合腔设计方法,实现了拓扑荷从-5到+5可设计的矢量激光。作者首先揭示了在三角晶格光子晶体平板中,通过打破C6对称性引入椭圆孔,准BIC的本征线偏振方向与实空间椭圆孔取向之间存在一种类莫比乌斯带的连续映射关系。基于此对应关系,作者将具有不同椭圆孔取向的光子晶体平板扇区按角向拼接,形成支持矢量涡旋模式的复合腔。复合腔的角向重复次数n直接对应输出激光的拓扑荷q,正负号由拼接方向控制。实验上,作者制备了一系列不同拼接构型的Si3N4光子晶体平板复合腔,在红外染料增益下实现了拓扑荷从-5到+5的矢量激光输出,并通过动量空间偏振分辨成像验证了其远场偏振涡旋特性。 创新点一 首次揭示并利用准BIC中的类莫比乌斯对应关系,建立了从实空间结构参数到动量空间本征偏振的确定性桥梁。这一发现打破了传统BIC拓扑荷受对称性严格约束的限制,使得通过空间拼接的方式人为构造任意整数拓扑荷的偏振涡旋成为可能。 创新点二 提出了一种一一对应的复合腔设计范式,实现了拓扑荷数值与符号的按需设计与精确控制。与以往依赖数值试错或拓扑能隙缺陷态的腔设计不同,该方法基于清晰的几何映射规则,显著提升了拓扑激光器设计的可预测性和灵活性,并在实验上展示了宽范围拓扑荷的生成能力。 结论 该工作通过引入类莫比乌斯对应关系,成功在准BIC平台上实现了拓扑荷可设计的紧凑型矢量激光。该复合腔设计策略将实空间对称性破缺与动量空间拓扑构建解耦,提供了一种将高Q准BIC模式重组为高阶拓扑涡旋光束的通用方法。实验结果不仅验证了从-5到+5拓扑荷的任意产生,还展示了激光的高方向性和单模特性。这一成果为片上集成拓扑光源、高维光通信及量子光学器件的发展提供了新路径。 启发方面 该研究提供了一种全新的拓扑结构设计哲学:不依赖于整体结构的对称性,而是通过局部区域的参数空间演化来合成全局拓扑序。这种拼接思路可推广至其他波的拓扑调控。

文献来源: Light: Science & Applications 15, 184 (2026). 作者:Xinhao Wang, Zhaochen Wu, Jiajun Wang, Lei Shi, and Jian Zi 发表日期: 30 March 2026



报告人:罗猜

文献标题:Exceptional Bound States in the Continuum


内容: 此前利用EPs进行光学传感时受辐射损耗影响较大,而BIC的特点就是Q_rad无限大,该研究通过将多个BICs发生本征值和本征态同时合并,产生EP-BIC。这个新的态同时有BIC的无辐射特性和EP的高灵敏度特性。 该研究首先通过最简单的two modes 有效哈密顿量在理论上分析出,要使两个完美BIC发生非厄米合并(本征值本征态都简并)是不可能的,必须要引入一个非对称的固有损耗。即发生简并的两个BIC中,一个为完美BIC,另一个为存在吸收损耗且仍不辐射的BIC。进一步地通过设计双层堆叠的介质超表面来实验上构造出一个二阶EP-BIC。具体而言,两层超表面都支持S-BICs,为了得到一个有损和一个无损的BIC,上层材料和下层材料分别设置为有损和无损,将两层超表面进行堆叠后,两个BIC杂化形成symmetric BIC和antisymmetric BIC,调节两个超表面的间距最终实现两个BIC的非厄米合并,形成EP-BIC。 对于该EP-BIC的损耗响应,该研究通过打破对称性(在上层超表面的结构单元中挖一个偏心圆孔)将BIC变成可辐射的准BIC进行研究,最终得到了该态的损耗对于微弱的对称性破缺呈平方根响应。 他们还在支撑材料中证明了,这种用BIC合并构造EP是“通用的”,并不只局限于两个BIC的合并,对于更高阶的合并依然有效。



文献来源:Zhou et al. PHYSICAL REVIEW LETTERS 2025, 134, 103802 作者:Adria Canos Valero, Zoltan Sztranyovszky, Egor A. Muljarov, Andrey Bogdanov and Thomas Weiss



报告人:彭家华

文献标题: Photonic crystal nanocavity based on a topological corner state 光子晶体纳米微腔实现拓扑角态


研究内容: 本文基于拓展SSH模型,在二维光子晶体实现非平庸2D Zak相位(π,π),通过层级化的体-边对应与边-角对应保证90°角处高阶拓扑角态的存在,设计拓扑平庸相与拓扑非平庸相畴壁构成的直角拐角结构;数值验证拓扑角态具有强局域、高Q值与小模式体积得特性,并在GaAs基光子晶体平板中通过低温微区光致发光测试,实验观测到Q值超 2000 的拓扑角态。创新点:一是首次在光学波段二维光子晶体中实现基于拓扑角态的纳米腔,以层级体-边-角拓扑对应实现角态模式存在性的拓扑保护,完全区别于传统缺陷型纳米腔;二是理论上用2D Zak相位表征二维光子晶体拓扑特性,明确高阶拓扑角态的产生机制;三是实验上首次在光学波段光子晶体平板中观测到零维拓扑角态,实现高Q值、小模式体积的拓扑纳米腔,填补拓扑光子学纳米谐振器的空白。结论:本文理论与实验相结合,证实二维光子晶体拓扑角态可构建高性能纳米腔,层级体-边-角对应为拓扑光子平台引入纳米腔提供确定性路径,实验测得角态空间紧局域且Q值超 2000,为拓扑纳米光子集成回路的发展提供关键支撑。启发:本文跳出一维光子晶体领域,2D Zak相位表征二维光子晶体拓扑特性,将高阶拓扑角态引入纳米光学微腔,开辟拓扑保护纳米激光器新方向;依托层级拓扑对应实现抗缺陷的紧凑型纳米腔设计,为高密度、高鲁棒性拓扑光子集成器件提供全新技术路径。



文献来源: Optica 6, 786-789 (2019) 作者:Yasutomo Ota, Feng Liu, Ryota Katsumi, Katsuyuki Watanabe, Katsunori Wakabayashi, Yasuhiko Arakawa, and Satoshi Iwamoto



报告人: 赵健

文献标题: Taming Friedrich−Wintgen Interference in a Resonant Metasurface: Vortex Laser Emitting at an On-Demand Tilted Angle 谐振超表面中弗里德里希 - 温特根干涉的调控:可控倾角涡旋激光发射


研究背景 矢量涡旋光束因其独特的偏振分布和相位奇点,在量子光学、光学操控、超分辨成像、自由空间光通信及高密度数据存储等领域具有广泛的应用前景。但是传统上,这类光束的生成依赖于复杂的光学系统难以实现集成化、芯片化。BICs 是一类虽处于辐射连续谱中却不向外辐射的光学共振态,其远场偏振分布天然形成涡旋结构。然而,现有 BIC 涡旋激光器多局限于动量空间的 Γ 点(即垂直发射方向),难以实现可调控的倾斜角度发射,限制了其在光束操控、自由空间通信等场景中的应用。Friedrich-Wintgen 干涉机制为破解这一瓶颈提供了理论支撑。该机制指出,两个泄漏共振模式之间可通过破坏性干涉实现辐射损耗的交换,其中一个模式可转变为无辐射的 BIC。这种 FW-BIC 通常出现在共振模式避免交叉点附近,因此可通过调控结构参数,将其设计在任意倾斜波矢位置。 研究内容 本文设计了一种基于有机-无机杂化卤化物钙钛矿的超表面结构。该超表面由矩形晶格排列的空气孔构成,沿 x 和 y 方向的晶格周期分别为 ηa 和 a,其中 η=0.9 为各向异性因子,a=340 nm。这种各向异性设计使得布里渊区也呈现矩形对称性,从而调控共振模式之间的耦合行为。超表面采用热纳米压印技术在钙钛矿薄膜上制备,在光泵浦实验中作者观察到明显的激光阈值行为低于阈值时为宽谱自发辐射;阈值附近出现线宽为0.49 nm的窄带激光峰;高于阈值后,激光强度急剧上升,光谱由激光模式主导。角分辨光致发光谱显示,激光发射主要集中在 FW-BIC 位置,发射角度为 21°,发散角小于 2°。通过分析四个不同偏振方向的远场图像,作者重构了偏振纹理图,发现偏振方向围绕 FW-BIC 奇异点旋转一周,拓扑电荷为 -1,证实了矢量涡旋光束的特性。 创新点一 本文首次实现非Γ点矢量涡旋激光发射:与以往所有 BIC 涡旋激光器不同,本文的 FW-BIC 位于动量空间非零波矢位置,实现了高倾斜角度(21°)的定向发射。 创新点二 本文系统揭示三重导模共振的 FW 干涉机制:与常见的双模式 FW 干涉不同,本文引入三重共振耦合,实现了在二维动量空间中的孤立 FW-BIC,具有更高的模式选择性和辐射控制能力。 结论本文首次在实验上实现了基于 Friedrich-Wintgen 干涉的超表面涡旋激光器,其发射方向为可设计的倾斜角度,并具有矢量涡旋偏振特性。该激光器工作波长为 550 nm,阈值泵浦功率为 11 μW,品质因子超过 1100,发射发散角小于 2°,拓扑电荷为 -1。通过调控晶格各向异性因子 η,可以实现 BIC 位置在动量空间中的连续改变。 启发方面 本文对于三重倒模共振的FW干涉机制有了一个系统性的解释,可以作为平带BIC工作的理论指导,其中的补充材料部分详细论述了三重倒模共振FW干涉机制



文献来源: Nanoletters Nano Lett. 2023, 23, 4152−4159 作者:Raphael Mermet-Lyaudoz,Clémentine Symonds,Florian Berry,Emmanuel Drouard,Céline Chevalier,Gaëlle Trippé-Allard,Emmanuelle Deleporte,Joel Bellessa,Christian Seassal,Hai Son Nguyen* 发表日期: May, 2023



报告人:喻志翔

文章标题:Enhanced Directional Emission from Monolayer WSe2 Integrated onto a Multiresonant Silicon-Based Photonic Structure《集成于多谐振硅基光子结构的单层二硒化钨增强定向发射》


文章概述:单层 WSe2等二维过渡金属硫族化合物凭借优异的光电特性和硅基平台兼容性,是片上原子级光源的核心候选材料,但其亚纳米级厚度极大限制了发射效率,亟需同时实现发射增强与方向调控的技术方案。将单层WSe2集成到多共振硅基光栅波导结构上,通过WSe2与结构支持的多共振模式耦合,实现了发光增强与定向发射。多共振模式同时实现了激发过程和发射过程的双重增强,模式的色散特性可将发光路由至指定方向;同时该结构缩短了WSe2的发射寿命,为超快发射调制提供了可能。文章的实验原理:单层WSe2具有直接带隙,是原子级发光体的理想材料,但其亚纳米厚度导致光与物质相互作用长度极短,自发辐射效率低,且自由空间发光无方向性,无法直接满足片上集成需求。体硅为间接带隙半导体,无法直接实现有效发光;而传统 III-V 族、锗材料与硅集成存在严重的晶格失配和热失配问题。二维过渡金属硫族化合物通过范德华力与硅基集成,无晶格匹配限制,是硅基片上光源的突破性解决方案。文章的相关机理:1. 激发增强:泵浦光~633nm通过光栅耦合到波导的 TE₁共振模式,显著增强WSe2所在位置的局域光场强度,模拟显示共振峰处局域场强最高提升 6 倍,直接提升了WSe2对泵浦光的吸收效率和激子激发效率。2. 发射增强:WSe2的发光峰~750nm与波导的 TE₀、TM₀模式共振匹配,基于珀塞尔效应,激子自发辐射与波导模式耦合,使自发辐射速率提升,实验观测到WSe2辐射寿命缩短约 2 倍;同时光栅结构将波导内的导波模式高效耦合到自由空间,模拟显示该结构的光提取效率是无光栅平板结构的 2.36 倍,进一步放大了远场 PL 强度。3. 偏振选择性定向发射机理:波导模式的色散特性是定向发射的核心:光栅的衍射效应将 TE₀、TM₀模式的色散关系折叠到第一布里渊区,两种模式的 ±1 级衍射分别对应 4 个特定的发射角度,使 WSe2的发光优先集中在这 4 个角域,而非自由空间的各向同性发射。文章的结论:① 成功实现了单层WSe2与硅基多共振光栅波导结构的范德华集成,在 633nm 连续光泵浦下,实现了WSe2的 PL 强度最高 8 倍的全局增强,而非局域热点增强;② 实现了WSe2发光的偏振选择性定向调控,发光优先集中在 4 个特定角域,且发射方向与偏振强相关,可通过偏振、光栅周期灵活调控发光的空间分布。;③ 该结构将WSe2的辐射寿命缩短约 2 倍,使器件具备最高 50 Gbps 的超快发射调制潜力,拓展了其在高速可见光通信领域的应用;④ 该平台基于全硅基工艺制备,无晶格失配问题,具备完全可扩展性,与现有硅基光子学集成平台完全兼容。



文献来源:ACS Photonics 2017, 4, 3031−3038 文章作者:Haitao Chen, Stefan Nanz, Aimi Abass. et al.



报告人:丁玺铮


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